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晶须生长原理及制备方法简述 罗中元 晶须生长过程（以圆柱形晶须生长为例 ） 晶须根部生长示意图（ZnO） 影响圆柱形晶须生长的因素 1.位置：一个原子在界面上叠合时释放的能量越大，原子结合的稳定性就越大，该位置就越有利于原子的叠合。光滑面上不同位置原子叠合的稳定性的大小顺序是:扭折界面光滑平面光滑面边缘。位置决定了晶体生长的方向。 2.粒子扩散速率：对于半径为r的晶须，其轴向（径向）生长速率为x/r (x为晶须表面到能被吸附的原子的距离)乘以原子直接碰撞在晶须尖端（侧表面）的速率。扩散速率决定了晶须轴向以及径向生长速率。  1.尽量构造螺位错型台阶供晶须生长。 生长圆柱形晶须需要注意的措施 2.控制较小的稳定的过饱和度。 晶须制备方法简述 气相法 溶液法 熔盐法 固体生长法 PVD法:过程无化学反应发生，原料在高温端蒸发，通过气相传质，以较低过饱和度在低温端冷凝生长出晶须。 气相法 CVD法:通过气态原料或者原料与环境气体发生化学反应产生挥发物质，传到生长点，在较低的过饱和度状态下凝聚生长出晶须。 溶液法原先主要用于晶体薄膜的制备，而制备晶须的难度比较大。主要原因是溶液过饱和度不易控制，经常二维形核，产生片晶。且温度梯度与浓度梯度不易控制，容易局部形成多晶。目前采用溶液法制备的晶须有硫酸钙、氧化铝、碱式硫酸镁等。 溶液法 熔盐法和固相反应相比，由于熔盐体系能为反应物提供一个液相环境，使得各反应物的扩散系数提高、扩散距离变长，因此其对反应温度的要求降低，同时晶体生长速率提高。不同熔盐介质的成分、黏滞系数、对晶须的浸润性不同，对晶体生长也有不同影响。目前采取熔盐法制备的晶须有莫来石（3Al2O3·2SiO2），钛酸钾、二氧化钛等。 熔盐法 固体生长法 固体生长法是在固体与固体发生化学反应，通过生成物在基面上的积累而生长出晶须的。反应过程可以分相内扩散与界面反应两部分。而且扩散速率慢，一般需要高温。目前碳化硅晶须主要用此方法进行工业生产，采用稻谷灰与二氧化硅作为反应原料。 区熔法 激光照射 谢谢！