现代电子线路基础(陆利忠)第1章习题答案.doc

习 题 1.1 分别计算本征硅和本征锗在T=500K时的载流子浓度值,并与常温下的载流子浓度值作比较。 解：本征半导体内的载流子浓度可用下式表示 上式中硅Ao=3.88×1016cm-3K-3/2,锗Ao=1.76×1016cm-3K-3/2。 K是波耳兹曼常数，k=8.63×10-5eV/K=1.38×10-23J/K。 T为热力学温度。 Eg0是T=0K时的禁带宽度,硅Eg0为1.21eV,锗为0.785eV。 按照上式T=500K时， 本征硅： 本征锗： 而常温下(T=300K),本征硅和锗热平衡载流子浓度分别约为1.5×1010cm –3和2.4×1013 cm –3。 结论：T=500K同T=300K相比，本征硅载流子浓度高4个数量级，本征锗载流子浓度高3个数量级，即表明温度对本征半导体载流子浓度影响极大，随着温度升高，本征半导体载流子浓度急剧升高。 1.2 在本征硅中掺入浓度为的五价元素砷。试分别计算T=300K和T=500K时的自由电子和空穴的热平衡浓度值,并指出相应的半导体类型。 1) T=300K，本征硅载流子浓度为，掺入浓度，满足； 故 由于，属于N型半导体； 2) T=500K，本征硅载流子浓度，掺入浓度，不满足； 故 求解得到 由于，故属于本征半导体。 1.3 在本征硅中先掺入浓度为Nd=8×1016/cm3的砷原子组成N型半导体,再掺入浓度为Na=5×1017/cm3的硼原子。试问它构成何种杂质半导体？常温下两种载流子的浓度各为多少？ 解：由于受主杂质(硼元素)浓度Na高于施主杂质(砷元素)浓度Nd，故杂质半导体由原先的N型应转变为P型。 常温下本征硅载流子浓度为1.5×1010cm –3，该数值远小于杂质浓度，因此： 1.4 若一个硅PN结的反向饱和电流,试在常温下分别求外加电压为0.1V、0.3V、0.5V和0.7V时的PN结电流。 解：PN结电流方程：，VT=kT/q,称为温度电压当量,室温(300K)下为26mV；将0.1V、0.3V、0.5V和0.7V各数值电压代入得： 外加电压VD 0.1V 0.3V 0.5V 0.7V PN结电流ID 4.6×10-13 A 1.0×10-9 A 2.2×10-6 A 4.9×10-3 A 从上表可以看出：随着正向电压值增大，PN结电流急剧增加，并且是非线性； 1.5 若一个硅PN结的反向饱和电流,试在常温下分别求当该PN结流过1mA和10mA正向电流时对应的外加电压值。并对结果进行比较。 解：由PN结电流方程可得： 而室温(300K)下为VT=26mV。 当ID=1mA时， VD=658 mV； 当ID=10mA时，VD=718 mV； 可见：PN结电流增加10倍时，电压仅增加0.1倍，说明PN结电流动态范围比电压动态范围大，同时表明PN结电压与电流关系是非线性的，即PN结是非线性器件。 1.6 分别判断题图1.6中两个理想二极管电路中的二极管是导通还是截止？并求Vo值。 题图1. 1.7 用三用表的同一个电阻档测量甲、乙、丙三个二极管的电阻值,测量结果的大小关系如表1.7所示。你认为这三个二极管中哪一个二极管的单向导电性能最好？ 表1.7 管子号 正向电阻 反向电阻 甲 大 中 乙 小 大 丙 中 小 解：从电阻值考虑，二极管的单向导电性体现在正向电阻值很小，同时反向电阻值很大； 因此乙管单向导电性最好。 1.8 已知题图1.8中的三个二极管均为理想二极管,且A、B、C三个灯都相同。试分析电路并指出三个灯中哪个灯最亮？ 题图1.题图1.∞，二极管导通时正向电压降为0。 当为正电压时，VD1截止；VD2导通，VD3截止，A/C两灯平分信号源功率； 当为负电压时，VD1导通；VD2截止，VD3导通，B灯独占信号源功率； 由于正负电压信号源提供的功率相等，故B灯最亮。 1.9 在题图1.9所示的硅二极管电路中,已知正弦交流电压(mV),且电容 C的容抗对交流可以忽略不计。写出电压vo的表达式。 解：输出电压vo表达式分为直流电压和交流电压两部分，而二极管在直流通路中的动态电阻值影响了交流输出电压。 直流通路为： ， 2）交流通路(电容C短路，直流电压源短路，二极管用动态电阻rd替换)为： 3) 因此输出电压 1.10 题图1.10所示电路中,已知二极管为理想二极管。判断当开关S1断开S2合上时两个二极管是导通还是截止,并求vo的值。画出当开关S1闭合S2断开、输入如图所示的vi波形时相应vo的波形。 解：1）当开关S1断开S2合上时： 2）当开关S1合上S2断开时