电力电子复习纲要.doc

1. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：阳极加正向电压的同时门极加足够大的触发电压。 2. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 3. IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？ 答：IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。 GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。 GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。 电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。 4. 试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。 器 件 优 点 缺 点 IGBT 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTO GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题 GTO 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低 电 力 MOSFET 开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 变压器漏感对整流电路影响的一些结论（1） 出现换相重叠角g ，整流输出电压平均值Ud降低。（2）??整流电路的工作状态增多（3）? 晶闸管的di/dt 减小，有利于晶闸管的安全开通。有时人为串入进线电抗器以抑制晶闸管的di/dt。（4）? 换相时晶闸管电压出现缺口，产生正的du/dt，能使晶闸管误导通，为此必须加吸收电路。（5）?换相使电网电压出现缺口，成为干扰源。 三相桥式全控整流电路的特点①任何时刻必须有两个晶闸管同时导通，一个为共阴极组，一个为共阳极组，以便形成通路②晶闸管在组内换相，同组内晶闸管的触发脉冲互差120度，由共阴极组与共阳极组的自然换相点相差60度，所以每隔60度有一个原件换相③输出电压的波形为线电压的一部分，一周期脉动6次④变压器正、负半周都有电流流过，所以没有直流磁化问题，变压器利用率较高。14．使变流器工作于有源逆变状态的条件是什么？ 答：条件有①直流侧要有电动势，其极性须和晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流电路直流侧的平均电压；②要求晶闸管的控制角απ/2，使Ud为负值。 15．什么是逆变失败？如何防止逆变失败？ 答：逆变运行时，一旦发生换流失败，外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路，或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联，由于逆变电路内阻很小，形成很大的短路电流，称为逆变失败或逆变颠覆。 防止逆变失败的方法有：采用精确可靠的触发电路，使用性能良好的晶闸管，保证交流电源的质量，留出充足的换向裕量角β等。 逆变失败的原因：（1）触发电路工作不可靠，不能适时、准确地给各晶闸管分配脉冲，如脉冲丢失、脉冲延时等，致使晶闸管不能正常换相 （2）晶闸管发生故障，该断时不断，或该通时不通（3）交流电源缺相或突然消失.（4）换相的裕量角不足，引起换相失败 16确定最小逆变角?min的依据 逆变时允许采用的最小逆变角??应等?min=??+?+?′ 1.三相四线制调压电路带中性线。 2.三相三线制调压电路的三相负载既可以使星型联结也可以是三角形连接 3．交流调功电路以交流电源周波数为控制单位，对电路通、断进行控制。 4.交流电力电子开关是将晶闸管反并联后串入交流电路代替机械开关，起接通和断开电路的作用。 5.三相交交变频电路由三个输出电压电位互差120度的单相输出交—交变频电路按照一定方式联接而成。有公共交流母线进线方式和输出星形联结方式两种接线方式。 6.交交变频电路的工作原理：当正组变流器工作在整流状态时，反组封锁，以实现无环流控制，负载Z上电压