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第09章-场效应晶体管
第九章场效应晶体管;MOS晶体管
MOS晶体管的匹配
浮栅晶体管
JFET晶体管;MOS晶体管;(A) 增强型NMOS (B) 增强型PMOS
(C) 耗尽型NMOS (D) 耗尽型PMOS;?;?;?;N阱CMOS工艺NMOS晶体管的简化寄生模型;N阱CMOS工艺PMOS晶体管的简化寄生模型;击穿机制
雪崩击穿
穿通击穿
介质击穿
热载流子诱发阈值电压偏移
短沟道NMOS晶体管的击穿效应
穿通击穿(0.4um工艺器件)和雪崩击穿(0.6um和0.8um工艺器件);当源/漏扩散区相对背栅正偏时,会向邻近器件的反偏结注入少子
相邻的NMOS和PMOS晶体管相互交换少子会引发CMOS闩锁效应
少子保护环可以防止闩锁效应
具有收集空穴保护环的PMOS; (B) 具有收集电子保护环的NMOS
;?;简单的自对准多晶硅栅NMOS晶体管的版图和剖面图; (A) 利用NSD、PSD和沟槽掩模层
(B) 利用NMoat和PMoat编码层;?;(A) N阱;(B) P阱;(C) 双阱;采用硼和磷实现沟道终止注入的N阱CMOS晶圆;天然(Native)晶体管
天然的阈值电压取决于栅和背栅的掺杂及栅氧化层的厚度
电流设计者也可以使用天然晶体管
经过调整的晶体管
通过对沟道区的注入可以改变MOS晶体管的阈值电压
P型注入使阈值电压正向移动
N型注入使阈值电压负向移动;(A) 天然NMOS;(B) 天然PMOS;双掺杂多晶硅CMOS晶体管的剖面图;恒定电压按比例缩小
保持晶体管工作电压不变的前提下缩小其尺寸
恒定电场按比例缩小
降低电源电压使晶体管中的电场在尺寸缩小的情况下保持恒定
大多数现代工艺都使用某种形式的恒定电场按比例缩小
光学收缩、选择性栅极尺寸收缩
按比例缩小晶体管
改善性能,寄生电容变小,开关速度变快,翻转功耗降低
应用于数字逻辑电路可得到预期效果
应用于模拟电路或混合信号电路则必须对电路性能重新评估;(A) 比例100%;(B)光学收缩至80%
(C) 有选择的将绘制栅长收缩至80%;?;合并晶体管M1和M2共用一个源极;二输入与非门
(A) 原理图;(B) 版图;?;环形晶体管:(A) 方形;(B) 圆形
环形结构可以降低漏区电容与沟道宽度之比,提高开关速度;背栅接触与保护环结合用于防止闩锁效应
NMOS背栅须低于或等于源极电位;PMOS背栅须高于或等于源极电位
(A) 邻接的背栅接触孔:源极和背栅在同一电位
(B) 分离的背栅接触孔:源极和背栅在不同电位;(A) 叉指状背栅接触孔
(B) 分布式背栅接触孔;扩展电压晶体管;(A) 轻掺杂漏区(LDD)晶体管
(B) 双扩散漏区(DDD)晶体管;(A) 非对称扩展漏区结构;(B) 对称扩展漏区结构;(A) 非对称扩展漏区结构;(B) 对称扩展漏区结构;(A-B-C) 分阶段氧化技术;(D-E-F) 刻蚀再生长技术;(A) 薄氧化层晶体管;(B) 厚氧化层晶体管;?;?;矩形功率晶体管金属连线版图,箭头表示电流方向;MOS晶体管的匹配;匹配MOS晶体管
有些电路利用栅源电压匹配,如差分对
有些电路利用漏极电流匹配,如电流镜
优化电压匹配和优化电流匹配所需的偏置条件不同
可以优化MOS管的电压匹配或电流匹配,但不能同时优化二者
电压匹配
产生匹配电压的MOS电路应工作在较低的有效栅压下,≤0.1V
电流匹配
产生匹配电流的MOS电路应工作在较高的有效栅压下,≥0.3V;栅极面积
栅氧化层厚度
沟道长度调制效应
方向;?;?;方向相同的器件(A)匹配精度高于方向不同的器件(B)和(C);多晶硅刻蚀速率的变化
使硅栅MOS晶体管的栅极长度发生变化
可使用陪衬栅极以确保均匀刻蚀
扩散穿透多晶硅
杂质在多晶硅内部无法均匀扩散
杂质沿晶粒边界快速扩散;在单个晶粒内部扩散速度较慢
有源栅极上方的接触孔
有源栅极上的接触孔位置有时会引起显著的阈值电压失配
保证接触孔位于厚场氧化层上方,而不是有源栅区上方
沟道附近的扩散区
深扩散区会影响附近MOS晶体管的匹配
深扩散区尾部会延伸相当长的距离与附近MOS晶体管的沟道相交;(A) 没有陪衬栅极的MOS晶体管阵列
(B) 包括陪衬栅极的MOS晶体管阵列;多晶硅栅杂质扩散过程
(A) 杂质完全再分布之前
(B) 杂质完全再分布之后
(C) 过度退火导致杂质穿过栅氧化层;阱的绘制边界与有源栅区之间的距离;氢化作用
部分氢原子可以渗入夹层氧化物并到达氧化层-硅界面处与悬挂键结合
该反应中和了悬挂键引入的正的固定电荷,有助于减小阈值电压的变化
悬挂键的随机分布会引起阈值电压的随机波动,氢退火有助于改善阈值电压的匹配
关键匹配晶体管的有源栅区上方不应进行金属化
次要匹配晶体管应具有相同的金属化版图,从而可以允许金属穿过
填充金属
去
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