第8章 光刻与刻蚀工艺.pptVIP

集成电路制造工艺东华理工大学 ;第8章 光刻与刻蚀工艺光刻的重;光刻与刻蚀的定义光刻工艺的重要;ULSI中对光刻的基本要求高分;§8.1 光刻工艺流程涂胶 ;预烘及涂增强剂去除硅片表面的水;涂胶（旋涂法）目的：形成厚度均;前烘目的：使胶膜内溶剂充分挥发;显影目的：显现出曝光后在光刻胶;曝光后烘培目的：降低驻波效应，;后烘（坚膜）目的：除去光刻胶中;刻蚀目的：选择性地将未被光刻胶;去胶目的：将经过刻蚀的硅片表面;§8.2 分辨率(Resol;光刻胶的组成聚合物材料（树脂）;正胶与负胶负胶的缺点： 树脂的;对比度光刻胶膜厚——曝光剂量响;其他特性光敏度膨胀性抗刻蚀能力;§8.4 曝光系统曝光系统;紫外（UV）光源 水银弧光;深紫外（ DUV ）光源 ;曝光方式（Exposure）曝;接触式曝光(contact p;接近式曝光（proximity;投影式曝光(projectio;提高分辨率的方法离轴照明 ;§8.5 掩膜版的制???石英板 ;X射线曝光类似接近式曝光更大的;电子束直写式曝光主要用于掩模版;§8.6 ULSI对图形转移的;湿法刻蚀优缺点各向同性选择性好;典型薄膜的湿法刻蚀Si的湿法刻;SiO2的湿法腐蚀 氢氟;§8.8 干法刻蚀干法刻蚀等;等离子刻蚀的工艺过程;共同点：都是利用低压状态下气体;二氧化硅和硅的干法刻蚀高压等离;增加氢增加氧;聚合物的