第8章 光刻工艺概述3.pptVIP

* * 8.3 光刻技术 X射线示意图 P217 * * 8.3 光刻技术 电子束曝光 电子束曝光的特点： 电子束曝光的精度较高。电子束的斑点可以聚焦的很小，而且聚焦的景深很深，可用计算机控制，精度远比肉眼观察要高。 电子束曝光改变光刻图形十分简便。电子束曝光机是把各次曝光图形用计算机设计图形就只要重新编程。 电子束曝光设备复杂，成本较高 * * 8.3 光刻技术 电子束曝光 * * 8.3 光刻技术 深紫外线曝光 “深紫外光”大致定义为180nm到330nm间的光谱能量。它进一步分为三个光带：200nm到260nm；260nm到285nm以及285nm到315nm。 * * 8.3 光刻技术 深紫外线曝光几种实用的光刻胶配方 PMMA对210nm到260nm的紫外光有感光性，感光性最佳的紫外光光谱约为220nm； PMIK的紫外光感光光谱为220nm到330nm，峰值光谱约为190nm和285nm。 AZ240系列光刻胶的感光光谱为240nm到310nm，峰值光谱约为248nm、300nm、315nm。 ODVR系列光刻胶的感光光谱为200nm到315nm，峰值光谱为230nm、280nm、300nm。 * * 8.3 光刻技术 原理图