第二章2.1.4半导体的导电性.ppt

2.1.1半导体材料 2.1.2半导体的晶体结构 2.1.3半导体中的电子状态 2.1.4 半导体的导电性 2. 本征半导体 共价键性质 本征激发与复合 一分为二 载流子的产生 复 合 合二为一 本征半导体自由电子和空穴的数目是相等的 单位体积的电子数——电子浓度 n0 单位体积的空穴数——空穴浓度p0 n0=p0 σ= nq（μn+μp） 对于导带：温度T时，导带内会有多少电子 如果： EC-EF 》k0T 本征半导体电子空穴成对出现，电子、空穴浓度相等，它们的浓度称本征载流子浓度ni ni= n0=p0 N型半导体特征： (1) 从价带跃迁到导带的电子数相对于从施主 能级激发到导带的电子数项小得多，可忽略。 电子——多数载流子 空穴——少数载流子 (2) n 》p σ= nqμn 制备非本征半导体所用的本征半导体材料初始纯度很高。 目前常用的掺杂工艺与两种：  (2)离子注入法 回答：不能能带的能级能容纳自旋方向相反的两个电子 施主能级所束缚的电子是任一自旋方向（半导体物理） 引入： ND——施主杂质浓度 NA——受主杂质浓度 (1)施主能级的电子浓度nD——没有电离的施主浓度 nD = ND fD(E) (2)受主能级的空穴浓度pA——没有电离的受主浓度 pA = NA fA(E) (3) 电离施主浓度——进入导带中的电子 nD+ =ND -nD (4) 电离受主浓度 pA- = NA- pA N型半导体不同温度下载流子的浓度变化 总结： 掺入某种杂质的半导体载流子浓度和费米能级 由 (1)温度和(2)杂质浓度决定. (1)温度 n型半导体：杂质浓度一定时，随着T↑ (2)杂质浓度 T一定时，载流子浓度和费米能级位置由杂质浓度决定 补充：简并半导体 注入的离子是在离子源中产生的 (原料气BF3, AsH3, PH3 进入离化室产生正离子所产生的正离子，被强电场引入质量分析器，选出所需要的离子，这些离子通过加速器被加速， 通常还聚焦成束，经偏束板将中性粒子除去，光栅扫描后，离子打在圆片衬底上。 非本征半导体的载流子浓度 导 带 价 带 施主能级 ED Eg EC EV 导 带 EA 价 带 受主能级 Eg EC EV n型半导体 p型半导体 电子（空穴）被正电核（负电核）吸引，要真正电离 进入导带，需克服正电核所施的束缚能——电离能 电子占据杂质能级的几率是否服从费米分布函数？ n型半导体电子占据施主能级的几率： P型半导体空穴占据受主能级的几率： nD = ND fD(E) ED-EF》k0T 施主杂质全部电离 nD = 0 nD+ =ND EF-ED》k0T 施主杂质几乎没电离 nD = ND nD+ =0 ED=EF nD =2/3 ND nD+ =1/3 ND 施主杂质2/3没电离 1/3电离 n型半导体的载流子浓度： n0=nD++p0 导带的电子浓度=电离施主浓度+价带空穴浓度 nD+ 《 ND (1)低温弱电离区： 温度较低，本征激发几乎不发生，少量施主杂质发生电离 少量电子进入导带 n0=nD+ 施主杂质的电离能 T↑,n0 指数增加 低温弱电离区费米能级表达式： T ↑, EF 复杂, ND2NC， ND ↑， EF ↑ 价 带 导 带 EC Ev EF Ei ED (2)中间电离区： T ↑, NDNC， ND ↑， EF ↑ n0=nD+ 价 带 导 带 EC Ev EF Ei ED nD+ ≈ ND (3)强电离区： 温度升高，大