高杆灯技术要求教材.doc

第五节 高杆灯技术要求 5.1 高杆灯招标一览表 工程内容 主要工程数量(套) 备 注 高杆灯 高杆灯H=15m BCV-GD-6×100W(LED)共8套 高杆灯H=20m GS-PL(BX)D-30 10×100W(LED)共10套 高杆灯(含配套系统)、投光灯、光源、综合安装(含基础设计) 5.2 技术要求 高杆灯包括灯具、灯杆制造、安装调试，本技术条件适用于上述所有高杆灯的招标。 5.2.1 灯盘、灯具、光源的技术要求 5.2.1.1灯盘： 高度H=20m：灯盘采用型钢构成的灯架，所有暴露于室外的金属框架、部件、灯盘表面均采取阳极氧化物镀膜防腐措施，10×100W高压钠投光灯具配合布置，灯盘顶端设置独立避雷针。灯盘形状为单侧型，向停车广场照射。 高度H=15m：灯盘采用型钢构成的灯架，所有暴露于室外的金属框架、部件、灯盘表面均采取阳极氧化物镀膜防腐措施，6×100W高压钠灯投光灯具配合布置，灯盘顶端设置独立避雷针。灯盘形状为单侧型，向收费广场照射。 5.2.1.2投光灯： 高度H=20m、H=15m：投光灯配套电器均应采用国际知名品牌，投光灯功率为 100W，光源为LED灯。 总体要求 LED芯片要求采用国际一线品牌的、成熟的功率型产品（推荐品牌：CREE、LUMILEDS、OSRAM、NiChia或性能相当的同档次及以上品牌）。采用功率型LED芯片封装技术，选用低热阻、散热良好、耐高温、抗高压的封装及高折射率、抗劣化封装材料（如硅胶、硅酮树脂、高透光的玻璃或亚克力等合成材料）, 提高出光效率和降低热阻，保证功率型LED 工作的稳定性、可靠性及高效性。 允许工作结温不小于 135 ℃ 采用单颗粒LED芯片结构，每颗芯片功率≥1W，LED的发光效率 ≥110 lm/W 灯具的整灯光效≥90 lm/W PN结至封装底座的热阻：≤ 9 ℃/W；在工作1小时后实测芯片脚焊点温度不得高于75℃ 灯具与器件装配后，满负荷稳定工作1小时后，实测芯片焊点、电路板、灯具外壳三者温差≤ 10℃。（必须提供温度热测模拟图） 使用寿命：≥ 50000h时，光衰小于初始值的25%。 色温为5500K+-300K；色温一致性 ≤ ±5％ 显色指数不低于75（Ra≥75） 模块化设计，与电源的结合没有任何焊点插拔式连接，以方便替换维护和升级换代。 环境条件 产品在温度-15～45℃范围内能可靠的工作。 产品在温度-40℃～85℃范围内能可靠存储。 产品在相对湿度≤96%R.H.能可靠的工作。 产品间歇暴露在振动条件下不会危害到产品的正常工作。 产品在搬运期间遭受的自由跌落不会危害到产品的正常工作。 产品在大气压为86～106Kpa范围能可靠的工作。 电源模块技术要求 电源模块的工作电源可满足交流供电和直流供电条件，实际使用时可将电源模块的工作电源由交流供电切换成直流供电或将直流供电切换成交流供电，电源模块仍能正常可靠地工作。 交流供电时：输入电压为AC 220V（±30%）；频率：50±2HZ 直流供电时：槐尖山隧道为直流供电，输入电压为DC 220V（±30%）； 电源容量：大于灯具标称功率120%； 电源模块具备调光功能： A、电源模块具备DC-PWM波的功能；即输入DC 0-10V后，转成相应的PWM波作为电源驱动信号，调节电源输出的占空比，达到改变光源亮度的目的。 B、电源输入的调光信号：DC 4-10V ，对应于40%-100%光源的亮度，调光时的效率不得低于85%； C、调光信号具备锁存功能，例如：当输入5V，持续时间为1-5秒后，即使不再继输入5V的信号，那么光源保持为50%的亮度； D、抗干扰滤波功能：调光时，输入的信号电压必须保持300-500毫秒，调光操作才有效。 E、调光巡检功能：当输入的调光信号为小于3V，且持续时间超过5分钟时，灯具光源自动以100%亮度输出。 F、调光信号的输入阻抗=10KΩ； 接线方式 接线端子连接（4根线固定于接线端子的结点上，1根PE接地保护线固定于外壳的接地极上）。 过温调功功能 当检测到LED灯芯片PN结温度过高时，电源模块可自动调整功率输出，达到降低芯片结温的目的。 抗LED异常工作能力 即LED灯具中，每个LED串联组由独立的恒流源电路驱动，该恒流电路应保证有LED击穿短路异常情况下能安全运行，并且电流稳定。 功率因数应≥0.95 需有良好的散热系统，保证LED灯具在正常环境下工作时，灯珠管脚温度不得超过65℃。 灯具光学性能 灯具的整体光衰 工作15000小时后不超过10%（光输出维持率达90%以上）；当工作50000h后光衰不超过20%（光通量输出维持达80%以上）。 灯具的每个LED芯片单独使用一个发光透镜的光学设计，以实现光线的精确定向投射，透射率高，物理化学性能稳定。