微电子器件(3-2)摘要.pptVIP

* 3.2 均匀基区晶体管的电流放大系数 （1）基区必须很薄，即 WB LB ； 要使晶体管区别于两个二极管的反向串联而具有放大作用，晶体管在结构上必须满足两个基本条件： （2）发射区的杂质总量远大于基区，当 WE 与 WB 接近时，即要求 NE NB 。 本节的讨论以 PNP 管为例。 定义：基区中到达集电结的少子电流 IpC 与从发射区注入基区的少子形成的电流 IpE 之比， 称为 基区输运系数，记为 ，即： 由于少子空穴在基区的复合，使 JpC JpE 。 3.2.1 基区输运系数 以下用 pB 代表基区非平衡少子浓度 ? pn 。 3.2.2 基区渡越时间 定义：少子在基区内从发射结渡越到集电结所需要的平均时间，称为少子的 基区渡越时间，记为 ?b 。 可以设想，在 ?b 期间，基区内的少子全部更新一遍，因此 将 代入，得： ?b 代表少子在基区停留的平均时间。?B 代表少子寿命， 代表少子在单位时间内的复合几率，因而