变频器技术及应用课件：第2章 电力电子器件.pptVIP

与一对反并联晶闸管相比，双向晶闸管是经济的，且控制电路简单，在交流调压电路、固态继电器(Solid State Relay, SSR)和交流电机调速等领域应用较多，通常用于交流电路中，因此，不用平均值而用有效值来表示其额定电流值。 图2-8双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性 (a)电气图形符号；(b)伏安特性 (3)逆导晶闸管(Reverse Conducting Thyristor, RCT)。逆导晶闸管是指将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件，具有正向压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高等优点，其电气图形符号和伏安特性如图2-9所示。 逆导晶闸管的额定电流有两个，一个是晶闸管电流，一个是反并联二极管的电流。 (4)光控晶闸管(Light Triggered Thyristor, LTT)。光控晶闸管又称为光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管，其电气图形符号和伏安特性如图2-10所示。 图2-9逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性 (a)电气图形符号；(b)伏安特性 图2-10光控晶闸管的电气图形符号和伏安特性 (a)电气图形符号；(b)伏安特性 小功率光控晶闸管只有阳极和阴极两个端子，大功率光控晶闸管还带有光缆，光缆上装有作为触发光源的发光二极管或半导体激光器。 光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响，因此，目前在高压大功率的场合，如高压直流输电和高压核聚变装置中，占据重要的地位。 任务4 全控型器件 阶段1 门极可关断晶闸管 门极可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor, GTO)是在晶闸管问世后不久出现的，是晶闸管的一种派生器件，它可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断，其外形如图2-11所示。GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。 阶段2 电力晶体管 电力晶体管(Giant Transistor, GTR，巨型晶体管)的外形如图2-12所示。 耐高电压、大电流的双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor, )，英文有时候也称为Power BJT，在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效。 20世纪80年代以来，GTR在中、小功率范围内逐渐取代了晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代。 1.GTR的结构和工作原理 GTR与普通的双极结型晶体管基本的原理是一样的，通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构，采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成，主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。GTR一般采用共发射极接法，集电极电流ic与基极电流ib之比为β=iciv (2-12)式中β——GTR的电流放大系数，它反映了基极电流对集电极电流的控制能力。 当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为ic=βib+Iceo(2-13) 产品说明书中通常给出直流电流增益hFE，hFE是指在直流工作情况下集电极电流与基极电流之比，一般可认为β≈hFE。 单管GTR的值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益。 2.GTR的基本特性 (1)静态特性。GTR的基本特性是指其在共发射极接法时的典型输出特性，如图2-13所示。在电力电子电路中，GTR工作在开关状态，即工作在截止区或饱和区。在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区。(2)动态特性(见图2-14)。 图2-11门极可关断 晶闸管外形 图2-12电力晶体管外形 图2-13共发射极接法时GTR的静态特性 图2-14GTR的开通和关断过程电流波形 ①开通过程。延迟时间td和上升时间tr 之和称为开通时间ton。td主要是由发射结势垒电容和集电结势垒电容充电产生的。增大ib的幅值并增大dibdt，可缩短延迟时间，同时可缩短上升时间，从而加快开通过程。②关断过程。储存时间ts和下降时间tf之和称为关断时间toff。 ts是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子的，是关断时间的主要部分。减小导通时的饱和深度以减小储存的载流子，或者增大基极负电流Ib2的幅值和负偏压，可缩短储存时间，从而加快关断速