基于β氧化镓的深紫外纳米光探测器.pptx

基于低维β-Ga2O3深紫外探测器 汇报内容 相关背景 材料选择 文献调研 材料合成 器件性能 相关背景 深紫外(DUV)： 280 nm 相关背景 相关背景 相关背景 5S Sensi- tivity Signal-to-noise ratio Spectral selec-tivity Speed Stability 汇报内容 相关背景 材料选择 文献调研 材料合成 器件性能 Eg(ev)=1240/λ(nm) 材料选择 材料 Eg/eV 材料分析 C-BN 6.3 带宽过大，对深紫外波段的选择性有限，分别为193、225、210nm，响应谱有缺失 Diamond 5.5 AlN 6.1 β-Ga2O3 4.9 对应波长245.7nm合适 AlxGa1-xN ~x x0.45时性能严重下降 MgxZn1-xO ~x x0.37方可合成，Eg=4.3 eV 材料选择 材料选择 1D Ga2O3的合成方法 汇报内容 相关背景 材料选择 文献调研 材料合成 器件性能 文献调研 搜索关键字（主题）： ultraviolet detector nano* gallium oxide Group 方法产物 前驱体 气氛 电极 P. Feng CVDNW Ga N2 Au Y.B. Li CVDNW Ga2O3、石墨 Ar、O2 Ga2O3 L. Li CVDNB Ga He、O2 Cr/Au R.J. Zou CVDNW GaN Ar 碳化钨 文献调研 信噪比过低 文献调研 电极与NW材料相同来自同一生长过程 接触势垒很低 Y.B. Li et al. Adv. Funct. Mater. 2010, 20, 3972–3978 单步CVD法：Ga2O3纳米线堆叠组成薄层电极，其后向相邻电极生长出桥接纳米线 VS 与ZnO相反，β-Ga2O3纳米线电子浓度极低使其受O2吸附-解吸作用所造成的影响很小 文献调研 Number 1 2 3 Temperature/℃ 1000 925 800 文献调研 文献调研 Individual nanobelts：width~1.6 μm， thickness~100 nm Rλ/ A W-1 QE tr / s IP~Pθ ~102 ~102 0.3 θ~0.85 文献调研 width tr / s td / s 3.3 μm 36 7.8 800 nm 0.3 0.3 文献调研 该探测器的各方面性能均有较好的热稳定性可在恶劣环境下工作 文献调研 参考文献 P. Feng et al. Appl. Phys. Lett.88, 153107 (2006) Y.B. Li et al. Adv. Funct. Mater. 2010, 20, 3972–3978 L. Li et al. Nanoscale, 2011, 3, 1120–1126 R.J. Zou et al. Nanotechnology 24 (2013) 495701 Q.H. Li et al. Appl. Phys. Lett.86, 123117 (2005) 谢 谢