第二章——电子学与机械学基本概念.ppt

第二章 电学与机械学基本概念 半导体的电导率 晶面和晶向 应力和应变 简单负载条件下挠性梁的弯曲 扭转变形 本征应力 谐振频率和品质因数 弹簧弹性常数和谐振频率的有源调节 MEMS的特点是涉及多个能域的信号转换及处理。这其中，对电能域和机械能域的处理和计算最基本的知识。 电能域中，除了通常的电路知识以外，由于MEMS中使用的核心材料往往是半导体及其相关结构，因而需要掌握半导体的电特性知识。 机械能域中，则要掌握基本的材料力学概念和最常用的梁、桥、膜等机械结构的特性。 本章内容正是从电、机械两个能域的基本知识展开的。 半导体的电导率——半导体材料 半导体定义及特性 导电性介于金属与绝缘体之间 核外价键饱和，可形成电子与空穴导电两种导电机制 通常禁带宽度（带隙）在0.4～3eV之间。 MEMS领域中，最常用到的半导体材料是硅，其他的还有锗、多晶锗、锗硅、砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等。 半导体的电导率---载流子浓度的计算 半导体中有两种自由载流子：电子和空穴。逃离电子留下的键空位称之为空穴。对于某一给定的材料，电子和空穴传导电流的能力是不同的，但是他们通常具有相同的数量级（未掺杂的）。 半导体中的电子浓度用n（单位是电子/cm3或cm-3）表示，而空穴的浓度用p（cm-3）表示。在稳态、热平衡条件下（例如没有外加电流也没有光照），电子和空穴的浓度通常分别为n0和p0表示，下标0表示热平衡。 电子和空穴的浓度在热平衡条件下遵循下面的关系式： 对于施主杂质浓度为 和受主杂质浓度为 的非本征半导体，电子和空穴的浓度可以由下面步骤求出。因为掺杂的过程是将中性原子注入到中性体中，所以体材料总是呈电中性。体内负电荷的浓度由电子和电离受主原子（ ）两部分组成。体内正电荷的浓度由空穴和电离施主原子（ ）两部分组成。电中性条件为： 为计算电子浓度，我们将 用 代替并重新整理上式得到： 或者： 而用 表示则为： 在半导体正常工作温度下，假定受主和施主都完全电离，即 和 。 一旦杂质的浓度已知， 和 就可以通过求解这些二次式得到。将会得到两个解，保留有物理意义的解。 注意：电子浓度大大超过超过空穴浓度时，为N型半导体材料，反之为P型。 例1：通常掺杂半导体的多数载流子浓度（常温下）在1014～1018之间。注意杂质浓度比晶格原子的密度小的多。（体原子密度～5╳1022） 半导体的电导率---电导率和电阻率 半导体的电导率可以通过几种方法来控制，例如人为的掺杂、外加电场、电荷注入、环境光照、或者温度的变化。这些控制因素使得半导体材料有很多应用，包括场效应晶体管、温度传感器、力传感器以及化学传感器。而MEMS领域中最基本的一项任务就是求出半导体硅片电导率与掺杂浓度之间的关系。 半导体材料中的自由载流子在电场作用下产生移动的方式称为漂移。载流子在给定电场下漂移的灵活性会影响半导体材料的电导率。 因此电导率 定义为: 其中J为电流密度,E为外加电场。 电子的电导率为： 空穴的电导率为： 总电导率等于电子和空穴的电导率之和，它可以表示为迁移率和载流子浓度的函数，电阻率如下： 对于半导体硅来说，其电阻率与材料及掺杂有关。 掺杂:在半导体材料中植入一定杂质的方法,将其变成电导体的工艺. 掺杂的应用: 在集成电路中制造的微晶体管和微电路; 在MEMS和微系统中的自停止； 掺杂是微电子中制作p-n结的基本工艺。 硼的外围轨道上有三个电子，当其被掺杂到硅中，硅材料产生一个电子空缺，形成一个电子“空穴”对。 晶面和晶向 晶体中的硅原子在晶格中规则排列。材料的特性（例如杨氏模量、迁移率和压阻系数）以及体硅的化学刻蚀速率通常都表现出对方向的依赖性。下图是几个不同方向硅晶格的横截面图。 横向变形与泊松比 胡克定律 实验证明： 当正应力小于某一极限值时，正应力与正应变存在线性关系，即 σ=Εε 称为胡克定律，E为弹性模量，常用单位：GPa（吉帕） 同理，切应变小于某一极限值时，切应力与切应变也存在线性关系 即：τ=Gγ 此为剪切胡克定律，G为切变模量，常用单位：GPa 假设微体积单元是静力平衡（没有静作用力或扭矩） 零静作用力 *不能存在静体作用力，如重力。如果存在，它将被体积单元对面表面的正应力所平衡。 *上图所示的微体积单元中不可见的三个表面中，也必定存在着应力，方向与可见表面的应力相反。 零静扭矩 *作用在相邻表面的切应力存在着某种关系，令 应力的单位：帕斯卡（Pa） 应变 应变