射频功放的温度特性和其温补电路总结.pdfVIP

LDMOS 功率放大器的温度特性及其温补电路设计 引言 LDMOS 管是专为射频功率放大器设计的改进型 n 沟道 MOSFET ，常工作在 A 或 AB 类， 在工作点附近具有正的温度特性，即在一定的栅压下，当工作温度升高时，其静态电流 Idq 升高，当工作温度降低时，Idq 降低。一般的，当 LDMOS 管热沉温度从 20 度升高到 100 度时，其静态工作电流 Idq 变化 140%，当温度降低至 0 度时，变化量也有 30% 。具体情况 可以参见图 1。Idq 变化会影响系统的增益、效率和线性等指标，其中又以线性影响最大。 因此，在工作中维持功率管（特别是大功率管）Idq 恒定，是功放板设计的关键点之一。 图 1：恒定栅压情况下温度和静态电流关系 LDMOS 功率管温度效应 器件的转移特性对 LDMOS 功率放大器至关重要。图 2 描述了 Freescale 的一款晶体管在不 同的热沉温度条件下，漏极电流Ids 与栅极电压 Vgs 的关系。当Vgs 小于 3V 时，漏极电流 Ids 几乎为零，当 Vgs 增大至大于阀值电压 Vt 时，跨导增加，漏极电流正比于（Vgs －Vt ） ^2 ，增加到 0.5A 之后，Ids 跟随 Vgs 线性增加，约到 3A，为线性区；当栅极电压继续增大 时，Ids 趋近极限，到达饱和区。当管芯温度发生变化时，曲线在 Ids ＝1.5A 处顺时针方向 旋转，这个点被称为零温度系数点（ZTC ：Zero Temperature Coefficient Point ）。在一定的栅 极偏置电压下，小于这个电流时，Vt 随着温度的升高而降低，Ids 随温度的上升而上升，呈 现出正的温度特性；大于这个电流时，电子迁移率随温度的升高而降低，使 Ids 降低，表现 出负的温度特性。在0 度到 80 度之间，为了保持静态电流 Idq 恒定，温度每改变 10 度，栅 压就变化 30mV，即LDMOS 管芯栅压的温度系数大约为 3mV/度；当温度高于 90 度时，温 度系数略小于 3mV/度；当温度在 80 度至 90 度之间变化时，温度系数略大于 3mV/度。因 此，为了保持 LDMOS 管静态工作电流 Idq 恒定，要求 LDMOS 管偏置电路具有温度系数为 －3mV/度的温度补偿电路。 图2 ：Freescale 晶体管在不同的热沉温度条件下，栅极电流与栅压的关系 温补电路元件的选择 温补电路元件的关键就是随温度发生变化的性质，常用元件有二极管、三极管、电压调节 IC 、热敏电阻以及利用单片机和EEROM 存储的随温度变化的量的表，这些方法的原理不尽 相同，下面给出一些特定值。 对于硅二极管 PN 结来说，其温度系数大约为－1.5mV/度； 对三极管来说，在饱和工作状态，dVbe/dT= －1.7mv/度；在放大状态，对于锗管 dVbe/dT= －1.55mV/度，对于硅管 dVbe/dT= －2mV/度。 对于电压调节 IC 来说，主要是利用它的电流随温度变化的特性。 对于热敏电阻来说，其阻值会随温度的升高而降低，随温度的降低而升高，表 1 是一个例子： 表 1 热敏电阻的温度关系 RT1 是热敏电阻，常温（25 度）下阻值是 100K 欧姆，90 度时变为 5684 欧姆。 利用单片机和 EEROM 存储的随温度变化的量的表，这种方法优点是可以拟合出不同曲率的 线段，因为 LDMOS 的温度特性也不是完全线性的，用这样的方法可以作出完美的温补曲线， 缺点就是价格较贵，调试较烦。 偏置电路 早期的偏置电路如图 3 所示： 图3 ：早期的偏置电路 根据图示可以得出： 对上式两边微分可以得到： 这样的偏置电路有两个缺陷： 每个不同的 LDMOS 管的核心（die ）会不一样，Vd 的变化值（温补元件的温度系 数）上面说过了，有－1.5mV/度、－2mV/度、－1.55mV/度等等，要保证偏压合适（例 如 MRF9100 在 3.5～3.8V 之间），又要保证这个系数【R1/(R1+R2) 】合适（例如对于－ 3mV/度的 LDMOS 的die 和－2mV/度的三极管 be 结温度系数来说，这个系数要为 1.5）， 是很难在所有的情况下都适用的。 如果 Vbias 随温度变化较大，栅压也会受到影响。 因此需要对上述电路进行改进，经过改善的偏置电路如图4 所示，采用专有的温度系数小的 电压调节IC ，并且电压调整 IC 采用浮地设计，即芯片不直接与电路板的地连接，而是连接 到温补电路上。 图4 ：改善