11 二维超晶格、量子井材料 - 国立彰化师范大学.pptVIP

奈米半導體序論 石豫臺 國立彰化師範大學 物理系暨光電科技研究所 奈米半導體序論 奈米科技 奈米半導體材料的定義 奈米半導體材料的基本特性 結論 奈米科技 奈米有多小？ 微米(micrometer) ?m 1 ?m = 10-6 m 約一粒質地很細的痱子粉大小 奈米(nanometer) nm 1 nm = 10-9 m = 10-3 ?m 約將一粒痱子粉再分成一千份的大小 奈米有多小？ 沈復 字三白，清朝人。 個性淡泊名利，創作風格真摯樸實。 著作：浮生六記 兒時記趣 余憶童稚時，能張目對日，明察秋毫。見藐小微物，必細察其紋理，故時有物外之趣。? 奈米科技 特徵尺度： 1?100 nm 研究由特徵尺度物質所組成的體系的運動和變化規律 開發具有特徵尺度水平的操縱技術 加工製造具有全新功能*的奈米材料 *所謂「全新功能」是指塊材材料所不具備的功能，亦即基於量子特性的功能。但注意，並不是所有物質縮小到奈米尺度後，就自然具有新的功能。 維度 (Dimensions) 幾何學與空間學的基本概念，構成空間的每一個因素(如長、寬、高)稱為一維。 普通的空間 ? 三維 理想的平面 ? 二維 直線 ? 一維 理想的點 ? 零維 奈米半導體材料的定義 半導體奈米材料 亦稱為半導體低維結構材料或量子工程材料 是指除了三維塊體材料外的低維結構材料 二維(2D)： 半導體超晶格 (super lattices) 量子井(quantum wells) 一維(1D)： 半導體量子線 (quantum wires) 零維(0D)： 半導體量子點 (quantum dots) 奈米晶體 (nanocrystals) 不同維度的半導體材料 二維超晶格、量子井材料? 載子僅在與成長平面垂直的方向上的運動受到局限，而在其他兩個成長平面內的方向的運動則是自由的。 局限方向的特徵尺寸 電子的德布羅意波長 ?d 以GaAs為例：在導帶附近的電子能量E ? 0.1 eV ??d ? 20 nm 電子在局限方向不能自由運動，在此方向運動能量是量子化的。 超晶格與量子井? 由能隙不同的半導體材料(如AlGaAs與GaAs)交替成長的週期性異質結構* (heterostructure)。 *異質結構：由兩種(或兩種以上)材料所組成的結構。 超晶格與量子井 AlGaAs能隙Eg1 GaAs能隙Eg2 AlGaAs：位能障 GaAs：位能井 量子井： 位能障厚度Lb夠厚，處於相鄰井中的電子或電洞的波函數無重疊。 超晶格： 位能障厚度Lb很薄，相鄰井中的電子或電洞的波函數重疊，束縛能級相互耦合型成微帶。 能量量子化 一維量子線材料? 載子僅在一個方向可以自由運動，另外兩個方向的運動受到局限。 有兩個維度的運動能量是量子化的。 零維量子點材料? 載子在三個方向的運動均受到局限。 三個維度的運動能量均量子化。 電子在不同維度下運動的態密度分布 可看出，隨著限制維度的增加，電子按能量分布範圍逐漸變窄。與三維的塊體材料相比，由於量子局限效應，電子態往高能量的方向移動了。 奈米半導體材料的基本特性 奈米半導體材料是種可人工改性的新型半導體材料，具有與三維塊體材料截然不同的性質。 當半導體材料奈米化之後，可能出現： 量子局限效應 量子穿遂效應 庫侖阻塞效應 量子局限效應Quantum confinement effect 又稱量子尺寸效應(quantum size effect) 在奈米半體材料中的載子在某些維度的運動因受局限而出現的量子能級分裂、材料能帶增大等效應通稱為量子局限效應。 量子局限效應 量子局限效應的影響與應用 導致材料的光、電、磁等性質顯著改變。例如： 較大的激子束縛能和振子強度 量子局限史塔克效應 不同大小的奈米晶體可發不同顏色的光 應用： 半導體量子井、量子點雷射 半導體光雙穩元件與光調制器 量子局限效應造成材料光學特性改變 量子穿隧效應Quantum tunneling effect 粒子具有波動性，因此能量小於位障的粒子入射時，仍有一定的機率穿透位障，此現象稱為量子穿隧效應。 量子穿隧的機率與位障高度、厚度和粒子的有效質量有關。 應用：共振穿隧二極體 共振穿隧效應Resonant tunneling effect 共振穿隧二極體(Resonant Tunneling Diodes, RTDs) 共振穿隧二極體工作原理 當電子被限制在量子井中，產生分立的能階。 在零偏壓時，位障阻止電荷通過元件。 隨著偏壓增加，井中能階不斷降低。 若井中一個未占據態的能量處於源區導帶占據態的能量範圍時，元件處於共振態，電流通過。 I-V曲線出現負阻效應區。 庫侖阻塞效應Coulomb blockade effect 若量子點尺寸足夠小，則電容C 10