MOS管基本特性测试.docVIP

实验1. MOS管基本特性测试 实验目的： 熟悉电路的测试方法 观察MOS管的主要特性 实验步骤： 输入图1电路。 图1 原理图 测试MOS管的输出特性。 （水平轴为VDD，纵轴为漏级电流ID） 图2 输出特性 测试MOS管的转移特性。 （转移特性是输出电流对输入电压的关系。注意设置纵轴为漏级电流ID，横轴为输入电压VGS） 图3 4.改变VDD，做出一组转移特性。解释特性中弯曲现象。 （将VDD改为8V） （将VDD设置为由0到5V改变） 说明：MOS管具有一定的导通电压，只有当输入电压大于该阈值电压Vt时，MOS管才开始导通。 5修改MOS管的W/L，观察输出特性的变化。总结输出特性和W/L之间的关系。 说明：实验中将W由原来的1.5um改为3um，得到如下输出特性。 图5 对比图2、图5，可发现，对于同样的输出电压（横坐标），无论是在放大区，还是在饱和区，集电极电流（纵坐标）都随着W/L的增大而增大。 6.修改MOS管的W/L，观察转移特性的变化。观察在VGS相同的情况下，gm和W/L之间的关系。 由图可知：对于相同的VGS，gm随着W/L的增大而明显增大。 实验报告： 叙述观察结果。 答：实验中按照要求测得几组曲线，图形如上。在不同情况下，得到了不同形状的曲线，反映出了MOS管特性与它的相关参量的具体关系。 分析测试曲线。解释实验步骤中要求观察的现象。