阳极氧化ZnO-TFT的实验设计.pptVIP

阳极氧化ZnO-TFT的实验设计 ZnO的现阶段的研究 Zn膜实验设计 阳极氧化参数设计 1、氧化电流密度实验 2、氧化电压实验 ZnO-TFT 1、TFT结构设计 2、性能优化 Al+Zn和Hf+Zn双层金属氧化实验 ZnO TFT的优势 高迁移率、可见光透明、低温工艺、环境友好等方面。 工艺简单而且工业设备和非晶硅的设备有很大的替代性 廉价的塑料/柔性衬底技术有很好的兼容性 ZnO TFT 在透明显示器中应用 现阶段研究 ZnO TFT 有源层的生长方式： 方法主要有脉冲激光沉积、磁控溅射、原子束沉积、化学气相沉积和电子束蒸发等.高性能ZnO TFT通常采用ALD的方法 考虑成本和工业应用和高迁移率、面积大等方面，采用ZnO靶材射频磁控溅射。但是，磁控溅射的ZnO 薄膜中存在大量的氧空位，导致ZnO-TFT的稳定性方面有很大的问题。而且溅射形成的ZnO在均匀性方面不能满足要求要求。 阳极氧化的方法，能实现与有机晶体管技术的兼容，工艺温度低与柔性技术兼容，工艺简化。 Zn膜实验设计 仪器：新溅射台 参数：RF功率：30W，40W，50W，70W 气压：0.2 ,0.3 0.5, 1 ， 测试参数：电阻率，生长速率 功率 ? 30 40 50 70 0.2Pa 生长