TiN覆盖层和CoTiSi三元固相反应改善超薄CoSi2高温稳定性3.PDFVIP

　第 19 卷第 3 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 3　 V o l N o 　1998 年 3 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ar 覆盖层和 三元固相反应 T iN Co T i Si 改善超薄 2 高温稳定性 CoSi 刘　京　茹国平　顾志光　屈新萍　李炳宗 ( 复旦大学电子工程系　上海　200433) 朱剑豪 (香港城市大学应用物理及材料科学系　香港) 摘要　本文研究不同金属薄膜结构形成的超薄 CoSi 膜的高温稳定性. 采用离子束溅射和反 2 应磁控溅射技术制备 、 、 、 不同结构, 在高纯氮气下进 Co Si T iN Co Si Co T i Si T iN Co T i Si 行快速热退火(R TA ) , 形成CoSi 薄膜. 应用四探针薄层电阻测试、扫描电子显微镜(SEM ) 、透 2 射电子显微镜( ) 进行测试. 实验结果表明: 覆盖层和 三元固相反应都是有 T EM T iN Co T i Si 利于形成具有良好高温稳定特性的CoSi2 薄膜的有效方法 , 有望应用于深亚微米接触和互连 技术中. : 8115 , 4450, 6170 , 7360; 　 : 2550, 2180, 0530 PACC N A EEACC 1　引言 近年来, 超大规模( ) 和甚大规模( ) 集成电路制造技术持续进步, 硅单元器件 VL S I UL S I 尺寸不断向深亚微米的方向发展. 金属硅化物由于具有较低的电阻率, 被广泛应用于超大规 模集成电路技术中作为栅级互连和源漏接触, 其中 T iSi2 和CoSi2 是应用和研究较多的两种 [ 1, 2 ] 材料 . 由于CM O S 单元器件尺寸在横向和纵向尺寸上都不断缩小, 浅结限制了硅化物薄 膜的厚度, 并要求金属硅化物硅具有平整的界面, 而通常后续工艺中还有介质致密和回流 等高温热处理过程, 因此薄硅化物在高温条件下的稳定性成为影响硅化物技术在深亚微米 集成电路技术中应用的关键问题之一. 近期国外一些研究者发表的实验结果表明, 常规Co Si 反应制备的薄 CoSi2 膜不能经受高温处理, 在高温下薄 CoSi2 膜会出现再结晶和凝聚的 现象, 使薄层电阻大大提高, 界面平整性被破坏, 严重影响其在集成电路中的应 CoSi2 Si [ 3～ 6 ] 的稳定性可以通过 覆盖层和