V400ACE聚焦离子束显微镜FEI公司.PDFVIP

产品数据 V400ACE™ 聚焦离子束 高性能电路编辑和设计调试解决方案 V400ACE™ 聚焦离子束(FIB) 系统采用了离子镜筒设计、气体输送和端点探测领域 的最新发展成果，可实现对高级集成电路的快速、高效和具备成本效益的编辑。 电路编辑可允许产品设计者在数小时内变更传导路径并测试修改的电路，而非数 周或数月，进而产生新任务并处理新晶片。更少、更短的修改和测试周期可令制 造商更快地采用新的工艺流程以实现利润丰厚的大批量生产，并率先推出溢价的 新产品。V400ACE 专门设计用于应对高级设计和程序挑战：更小的几何形状、更 高的电路密度、奇异材料和复杂的互联结构。借助可选的红外线显微镜和大量硅 挖沟工具包，V400ACE 可配置为背面编辑。 Tomahawk™ 离子镜筒 FEI 的Tomahawk™ 离子镜筒具备在30 kV - 2 kV 范围内无缝操作的无与伦比的功能 和灵活性。高电流密度磨削 （30 kV ）可确保迅速移除材料并提高生产量，同时低 电压操作可用于铜的选择性蚀刻。 主要优点 NanoChemix™ 气体输送 • 快速精确的电路修改可实现在数小时内更高 FIB 电流编辑工具使用可控数量的特定气体，并在样品表面的射束附近注入气体， 设计，并且未处理新硅 以提高磨削程序的速度和选择性，V400ACE 创新的NanoChemix™ 气体输送系统可 • NanoChemix 气体输送系统可提高材料移除和 沉积的速度、灵活性、统一性和质量 提高可变压力控制以及广泛的固体、液体或气体先兆材料的编辑灵活性。独一无 • Tomahawk 离子镜筒可提供更多电流至 二的三喷嘴设计确保化学剂对称的连续变化的流动。专用的中央喷嘴可喷出金属 更小的点，以实现更快、更精确的磨削 沉积前体。双对立喷嘴可喷出蚀刻气体，并消除使用单喷嘴系统进行挖沟磨削期 • SE 和样品电流同步设计可提高端点探测性能 间出现的遮蔽。气体混合可用于提高绝缘体沉积的电气性能。自动清洗程序和可 • 快速准确的横切面处理可迅速揭示缺陷和表 控的气体容积可实现快捷方便的气体转换，缩短排空气体的时间。集成有毒气体 面下方特征 监测仪及完全符合SEMI S2 标准可确保操作者的安全。 • 电气馈穿可用于探测和芯片测试应用 • 可选的背面编辑功能、近红外显微镜和Si 挖 沟程序包 产品数据 V400ACE™ 聚焦离子束 图1 ：使用集成的红外线显微镜穿透背面硅所得的电路视图 图2：使用V400ACE 改进的离子光学通过铜金属线氧化和端 （分辨率0.5 µm） 点探测形成的高画面比例。最小尺寸为50 nm。 背面编辑选项 改进的导航和自动化 近红外显微镜允许通过正面电介质和背面块状硅实现目标结构 5 轴压电驱动的样品台和CAD 软件的无缝集成可确保快速准确 成像，以便快速准确地导航。配最高全厚度背面硅的设备可拍 的导航。CAD 多边