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低温阳极键合工艺研究-太赫兹科学与电子信息学报
第 12 卷 第 6 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1.12,No.6
2014 年 12 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Dec.,2014
文章编号:2095-4980(2014)06-0922-05
低温阳极键合工艺研究
姚明秋,李玉萍,唐 彬,苏 伟,陈颖慧
( 中国工程物理研究院 电子工程研究所,四川 绵阳 621999)
摘 要 :对低温阳极键合特性进行了研究。通过对硅片进行亲水、疏水和表面未处理 3 种不
同处理方式研究其对键合的影响,键合前将硅片浸入去离子水(DIW) 中不同时间,研究硅表面 H
基和氧化硅分子数量对键合的影响。结果表明经亲水处理的硅片在水中浸泡 1 h 的键合效果最
佳。并设计了不同烘烤时间下的阳极键合实验,表明在 100 °C 下烘烤 30 min 可以有效减少气泡
的数量和尺寸。由不同工艺条件下得到的键合形貌可知,通过控制硅片表面微观状态可以达到减
小或消除键合气泡的目的。
关键词 : 阳极键合;低温;亲水;疏水;气泡
中图分类号 :TN305.94 文献标识码 :A doi :10.11805/TKYDA201406.0922
Effect of silicon wafer surface treatment on anodic bonding at low temperature
YAO Ming-qiu,LI Yu-ping,TANG Bin,SU Wei,CHEN Ying-hui
(Institute of Electronic Engineering,China Academy of Engineering Physics,Mianyang Sichuan 621999,China)
Abstract: The characteristics of anodic bonding at low temperature are re searched. The effects on
bonding for three different processing modes of silicon, including hydrophilic treatment, hydrophobic
treatment and no surface treatment, are studied. The silicon wafers are dipped into Deionized Water(DIW)
for different times to investigate the effect of the number of H-terminations and SiO2 molecules on silicon
surface for bonding. The results show that the best bond quality is achieved by dropping the silicon wafer
with hydrophilic treatment in DIW for 1 h. Anodic bonding experiments at different drying time are
designed. The bubble amount and size will
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