利用二次阳极氧化方法降低N型碲镉汞材料表面复合速度的研究The.PDF

利用二次阳极氧化方法降低 N 型碲镉汞材料 表面复合速度的研究 1,2 1 1 张立瑶 ，乔辉 ，李向阳 (1.中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院红外成像材料与器件重点实验室 上海 200083；2.中国科学院研究生院，北京 100039) 摘要：本文利用微波反射光电导衰退法比较了采用一次阳极氧化和二次阳极氧化的 N 型碲 镉汞材料的非平衡载流子寿命及其随温度的变化。通过与理论值进行比较拟合得到了碲镉汞 材料表面复合速度随温度的变化曲线。结果发现，二次阳极氧化方法能够更好的降低材料表 面悬挂键的密度，同时减少抛光引入的表面缺陷能级的数量，从而降低材料的表面复合速度， 改善材料的非平衡载流子寿命，有利于制造出高性能的HgCdTe 红外探测器。 关键词： HgCdTe ，二次氧化，少子寿命，表面复合 中图分类号：TN213 文献标识码：A The research of reducing the surface recombination velocity of N-HgCdTe by second Anodization 1,2 1 1 Zhang Li-yao , Qiao Hui , Li Xiang-yang (1.Shanghai Institute of Technical Physics of The Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China;2.Graduate University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, China) Abstract: The minority carrier lifetime as a function of temperature of n-HgCdTe treated by first anodization and second anodization was measured by µ-PCD and compared. The surface recombination velocity as a function of temperature was simulated from the theory minority carrier lifetime and measured minority carrier lifetime. The results show that second anodization is a effective way to decrease the density of surface dangling bond and surface defect level, thus reduce the surface recombination velocity and increase the minority carrier lifetime which is beneficial to produce HgCdTe detector with high performance. Key words: HgCdTe, second anodization, minority carrier lifetime, surface recombination velocity PACS ：07.57.Kp HgCdTe 红外探测器，材料的非平衡载流子 0 引言 寿命是决定最终器件性能的重要参数[2] ，表 HgCdTe 材料一直以来都是制备红外探 面钝化能够饱和材料表面的悬挂键[3] ，从而 测器的优良材料[1] 。随着人们对于 HgCdTe 减少材料