利用阳极氧化铝模板辅助水热法生成一维硫化铜奈米线-Southern.PDF

王聖璋等／南臺學報工程科學類 第 1 卷第 1 期 2016 年3 月 1 —12 1 利用陽極氧化鋁模板輔助水熱法 生成一維硫化銅奈米線 1 2 *2 3 陳美利、吳忠春、 王聖璋、徐士凱 1 2 3 南臺科技大學光電工程系、南臺科技大學機械工程系、南臺科技大學奈米科技研究所 *2scwang @mail.stust.edu.tw 摘要 本研究利用水熱法結合多孔性陽極氧化鋁模板(PAM)輔助合成硫化銅奈米線。藉由電壓控制、二階段 陽極處理等製備條件，探討對PAM 模板孔洞大小與規則度的影響。再將模板置於高壓釜中，水熱生成一 維CuS 奈米線。結果顯示，孔洞的直徑會隨著施加電壓升高而變大 ，孔洞間距也會增大。而阻障層移除 的時間越長則會使第二次陽極處理的孔洞增大，並縮小孔洞間距。在沒有陽極氧化鋁模板孔洞的侷限之 下， 水熱生成CuS 實驗結果顯示 ，在反應溫度130℃ ，其結構為圓球狀，且成份為富銅相之Cu S 。而 9 5 反應溫度≧130℃ ，會於圓球狀結構表面生成為片狀結構的CuS 晶體，形成花狀結構。而CuS 奈米線的 合成，在反應溫度70℃時，是為非晶的奈米線。而當反應溫度≧100℃時，其奈米線結晶情形分為兩種， 顆粒狀與線狀。反應溫度達到 190℃時，則全部結晶相只剩單一的線狀。而經由TEM 的繞射分析，能做 初步判斷其為CuS 的成份。而會造成這種原因，我們推測是水熱反應在有限的模板孔洞中所產生的結果。 所以本實驗成功使用陽極氧化鋁模板輔助水熱法合成硫化銅奈米線陣列。 關鍵詞 ：硫化銅 奈米線、多孔陽極氧化鋁模版 、水熱法 ，陽極處理 One-dimensional Copper Sulfide Nanowires Growth by Hydrothermal Synthesis Assisted with Porous Anodized Alumina Membrane Template 1Mei-Li Chen, 2Chung-Chun Wu, *2Sheng-Chang Wang, 3Shih-Kai Hsu 1 Department of Electro-Optical Engineering, Southern Taiwan University of Science and Technology 2 Department of Mechanical Engineering, Southern Taiwan University of Science and Technology 3 Institute of Nanotechnology, Southern Taiwan University of Science and Technology Abstract In this study, copper sulfide nanowires arrays were synthesized by using hydrothermal method assisted with porous anodized alumina membrane (PAM) template. Various pore sizes were prepared by controlling the