第十五章-半导体功率器件案例.ppt

第十五章 半导体功率器件 15.5 功率MOSFET 功率MOSFET的电流通常A，电压50-100V。与功率BJT比，其优点是栅极的控制电流很小。 功率MOSFET是由并行运行的重复结构单元构成的。要达到大的阈值电压，要采用垂直结构，要得到大的电流，使沟道宽度非常宽。 功率MOSFET有两种基本结构：DMOS和VMOS 15.5.1 功率晶体管的结构 双扩散DMOS晶体管的横截面图 DMOS器件双扩散工艺：源区和衬底是通过栅的边缘所确定的窗口进行扩散形成的。衬底和源区横向扩散距离的不同决定了表面的沟道长度。 电子进入源区电极，横向从衬底下的反型层漂移至n型漂移区。然后电子垂直地从n 型漂移区漂移至漏区电极。 垂直沟道VMOS VMOS是非平面结构 P衬底在整个表面形成，再进行源区扩散然后再通过延伸至n型漂移区做一个V型槽。栅氧化层生长在V型槽上，再镀金属栅极。 HEXFET：一种功率MOSFET的结构，这种结构是由许多的MOSFET并行放置形成的六角形组态。 HEXFET有很高的集成度，每平方厘米有10万个 图15.22 HEXFET结构 15 .5.2 功率MOSFET的特性 1. 两种功率MOSFET的特性 参数 2N6757 2N6792 VDS（MAX）\V