藉由在界面层上覆盖铪或锆改善锗金氧半电晶体的可靠性研究.PDFVIP

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2017-06-21 发布于天津
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藉由在界面层上覆盖铪或锆改善锗金氧半电晶体的可靠性研究.PDF

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藉由在界面层上覆盖铪或锆改善锗金氧半电晶体的可靠性研究

NANO COMMUNICATION 24 No. 1 17 Improved Reliability Characteristics of Ge MOS Devices by Capping Hf or Zr on Interfacial Layer [1] Abstract Ultralow equivalent oxide thickness and excellent reliability characteristics in Ge MOS devices are achieved by capping Hf or Zr on interfacial layer in this work. Device with a Hf cap layer demonstrates the lowest interface trap density and stress-induced leakage current. Moreover, device with Zr cap layer has the lowest hysteresis effects and stress-induced voltage shifts. Keywords Interfacial layer Ge MOS Hf Zr 3 18 1 N(100) 110 -cm 1ZrO2Ge MOSCAP D.I. WaterH2O : HF100 : 1 (DHF) (Native Oxide) (ALD) H2O300 250GeO2 1 ALDZrO2 3nm In-Situ (ULVAC 2ZrO Sputter)100 nmTiN 2 - (a) ZrO (b) ZrO (c) 2 2 1 ZrO2(d)C-V ] 9 [ MOS 100 kHzC-V() C-V