S2光电探测器件04.pptVIP

* 2.4.1 光电导型光探测器 – 特性 ⑨ 光谱特性 相对灵敏度与波长的关系 光谱特性曲线覆盖了整个可见光区，峰值波长在515～600nm之间。尤其硫化镉的峰值波长与人眼的很敏感的峰值波长（555nm）很接近 * 红外区光敏电阻的光谱特性 此特性与所用材料的光谱响应、制造工艺、掺杂浓度和使用的环境温度有关。 2.4.1 光电导型光探测器 – 特性 ⑨ 光谱特性 * 2.4.1 光电导型光探测器 – 特性 ⑩ 噪声特性 光敏电阻的主要噪声源：热噪声、产生复合噪声 、1/f 噪声 * 2.4.1 光电导型光探测器 – 特点 ① 优点 灵敏度高，光电导增益大于1，工作电流大，无极性之分 光谱响应范围宽，尤其对红外有较高的灵敏度 所测光强范围宽，可测强光、弱光 ② 缺点 强光下光电转换线性差 光电导弛豫时间长 受温度影响大 由伏安特性知，设计负载时，应考虑额定功耗 进行动态设计时，应考虑光敏电阻的前历效应 Click to edit company slogan . * * LOGO C2 光电探测器件 理学院 宋旸 * 2 光电探测器件 2.1 光电探测器的物理效应 2.2 光电探测器的性能参数 2.3 外光电效应型光电探测器 2.4 内光电效应型光电探测器 2.5 固体成像器件 2.6 光电探测光源 * 内光电效应型探测器 4 2 光电探测器件 * 2.4 内光电效应型光电探测器 内光电效应 光电导效应 （均质型光电器件）半导体中束缚电荷接收光子能量后离开平衡位置，进入导电能带，改变了半导体中非平衡载流子的浓度，从而影响其导电性能。 光生伏特效应 （结型光电器件）光生电子聚集在PN结附近，改变平衡状态下的内建电场强度，形成光生电动势。 * 2.4 内光电效应型光电探测器 2.4.1 光电导型光探测器 ? 光敏电阻 2.4.2 pn结光伏探测器的工作模式 2.4.3 光电池 2.4.4 光电二极管与光电三极管 2.4.5 特殊结型光电二极管 * 2.4.1 光电导型光探测器 光敏电阻阻值对光照特别敏感，是一种典型的利用光电导效应制成的光电探测器件。 对于本征型，可用来检测可见光和近红外辐射 对于非本征型可以检测波长很长的辐射 * 2.4.1 光电导型光探测器 * 2.4.1 光电导型光探测器 结构：由一块涂在绝缘基底上的光电导材料薄膜和两端接有两个引线，封装在带有窗口的金属或塑料外壳内。电极和光电导体之间呈欧姆接触。 光敏电阻在电路中的符号 * ① 光电导效应 半导体受光照后，吸收光子能量产生电子－空穴对，引起载流子浓度增加而使材料电导率增加的现象。 导体的电导率 欧姆定律微分形式 漂移速度：电子在电场作用下沿着电场的反方向作定向运动称为漂移运动，定向运动的速率称为漂移速度。 2.4.1 光电导型光探测器 – 特性 * ① 光电导效应 当导体内部电场恒定时，载流子应具有一个恒定不变的平均漂移速度，电场强度增大时平均漂移速度也增大。平均漂移速度的大小与电场强度成正比 电导率和迁移率的关系 对于半导体材料 μ为迁移率，表示单位电场下电子的平均漂移速度，与材料特性有关 2.4.1 光电导型光探测器 – 特性 * 2.4.1 光电导型光探测器 – 特性 ① 光电导效应 半导体材料无光照时 暗电导 有光照时 电导率增量 光电导 * 2.4.1 光电导型光探测器 – 特性 ② 电流与增益 光生载流子的产生率 α 半导体吸收系数 η 量子效率 N 单位时间内入射在单位面积上的光子数 * 2.4.1 光电导型光探测器 – 特性 ② 电流与增益 光生载流子浓度变化率 τn、τp电子和空穴的平均寿命 稳定状态时载流子浓度 稳态时光电导率 * 2.4.1 光电导型光探测器 – 特性 ② 电流与增益 流过外电路的电流密度 光电流 * 2.4.1 光电导型光探测器 – 特性 ② 电流与增益 描述光作用下外电路电流的增强能力。 增益：光电流与入射光引起的单位时间电荷量的比值。 * 2.4.1 光电导型光探测器 – 特性 ② 电流与增益 * 2.4.1 光电导型光探测器 – 特性 ② 电流与增益 电子的输运时间为 例：计算硅光电导体的增益。考虑n型硅光电导体，其长度为 L=100μm，横截面积为A= ，少子寿命为 ，所加电压为V=10V。（ n型硅的电子迁移率典型值为1350 ,空穴迁移率为480 。） 光电导体增益为 * 2.4.1 光电导型光探测器 – 特性 ② 电流与增益 单位时间流过器件的电荷数大于器件内光激发的电荷，从而使电流得到放大。 ① 减小样品长度可以大大提高增益 ② 增加