XR-100SDD型X射线硅漂移探测器-Amptek.PDF

XR-100SDD 型X 射线硅漂移探测器 125eV 的能量分辨率！ 电致冷技术——无需液氮！ 图1. XR-100 型硅漂移探测器及配套电源PX5 图2. 硅漂移探头元件示意图 XR-100SDD 系列产品由新型高性能X 射线硅漂移探头，前置放大器（前放）和致冷系 统组成。采用热电致冷技术保持硅漂移探头(SDD)的低温工作环境，而在两级热电致冷器上 亦安装了输入场效应管(FET)和新型温度反馈控制电路，这样探头组件的温度保持在约零下 55 摄氏度左右，并通过组件上的温度传感器显示实时温度。探头采用TO-8 封装，并利用不 透光和不透气（真空封装适用）的薄铍(Be)窗以实现封装后的软X 射线探测。 XR-100SDD 系列产品无需采用昂贵的低温制冷系统即可获得非常优越的性能，它标志着 X 射线探测器生产技术上的一个突破。 产品特性： 1. 高计数率：500,000 CPS(每秒计数, counts per second)； 2. 能量分辨率：125eV （半高全宽，FWHM，对应峰值为5.9keV 的情况）； 3. 高峰本比：20,000:1 （P/B ratio 5.9Kev to 1Kev ）典型的； 2 4. 面积25mm ，厚度500µm； 5. 内置多层准直器； 6. 不需要液氮制冷。 应用范围： 1. X 射线荧光分析； 2. 用于RoHS/WEEE 标准检测的X 射线荧光谱仪； 3. OEM 和其他专业应用； 4. 生产工艺流程反馈控制； 5. 高校和科研院所实验室研究； 产品参数： 本产品可以适应于用户不同应用时的参数需求。 I. 高能量分辨应用： 1. 超高能量分辨率：125eV （对应峰值为5.9keV 的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time) ：11.2µs； 3. 计数率：100,000 CPS； 4. 峰本比： 20,000:1 （P/B ratio 5.9Kev to 1Kev ）典型的； II. 快速峰化应用： 1. 能量分辨率：155eV （对应峰值为5.9keV 的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time) ：0.8µs ； 3. 计数率：500,000 CPS； III. 手持设备应用： 1. 能量分辨率：150eV （对应峰值为5.9keV 的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time) ：3.2µs； o 3. 探测器探头温度保持在250K （-24 C ） 4. 计数率：200,000 CPS ； XRF 设备由此开始 ... ... 55 图3. Amptek 硅漂移探测器(SDD)测得的 Fe 能谱 产品说明 XR-100SDD 型硅漂移探测器（SDD ）是Amptek 公司出品的一款新型X 射线探测器，它 标志着X 射线探测器生产工艺的变革。XR-100SDD 因其体积小，性能优越且价格便宜等特 点，是OEM 手持式和台式X 射线荧光谱仪设备的理想选择；而且它在保证优异的能量分辨 的同时还能达到相当高的计数率，可以满足各种参数需求；另外封装采用和Amptek 出品的 其他探测器一样的T0-8 型外壳，方便用户升级现有系统以及和其他Amptek 产品配套。 硅漂移探测器工作原理和硅PIN(Si-PIN)光电二极管类似，但它利用单电极结构大大提升 了性能。Amptek 公司专门为X 射线能谱测量应用优化了其所有硅漂移探测器产品。 同样的探头面积下，硅漂移探测器电容比传统硅PIN 探测器电容低很多，则所需成型时 间变短，电子学噪声也会大大降低。因此硅漂移探测器可以相同（较高）的计数率下得到比 传统探测器好的能量分辨率。另外为引导电子移动到相当小的低电容阳极上，探测器中的电 极结构是特制的。 产品参数