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XR-100SDD型X射线硅漂移探测器-Amptek
XR-100SDD 型X 射线硅漂移探测器
125eV 的能量分辨率!
电致冷技术——无需液氮!
图1. XR-100 型硅漂移探测器及配套电源PX5
图2. 硅漂移探头元件示意图
XR-100SDD 系列产品由新型高性能X 射线硅漂移探头,前置放大器(前放)和致冷系
统组成。采用热电致冷技术保持硅漂移探头(SDD)的低温工作环境,而在两级热电致冷器上
亦安装了输入场效应管(FET)和新型温度反馈控制电路,这样探头组件的温度保持在约零下
55 摄氏度左右,并通过组件上的温度传感器显示实时温度。探头采用TO-8 封装,并利用不
透光和不透气(真空封装适用)的薄铍(Be)窗以实现封装后的软X 射线探测。
XR-100SDD 系列产品无需采用昂贵的低温制冷系统即可获得非常优越的性能,它标志着
X 射线探测器生产技术上的一个突破。
产品特性:
1. 高计数率:500,000 CPS(每秒计数, counts per second);
2. 能量分辨率:125eV (半高全宽,FWHM,对应峰值为5.9keV 的情况);
3. 高峰本比:20,000:1 (P/B ratio 5.9Kev to 1Kev )典型的;
2
4. 面积25mm ,厚度500µm;
5. 内置多层准直器;
6. 不需要液氮制冷。
应用范围:
1. X 射线荧光分析;
2. 用于RoHS/WEEE 标准检测的X 射线荧光谱仪;
3. OEM 和其他专业应用;
4. 生产工艺流程反馈控制;
5. 高校和科研院所实验室研究;
产品参数:
本产品可以适应于用户不同应用时的参数需求。
I. 高能量分辨应用:
1. 超高能量分辨率:125eV (对应峰值为5.9keV 的情况);
2. 峰化时间(Peaking time) :11.2µs;
3. 计数率:100,000 CPS;
4. 峰本比: 20,000:1 (P/B ratio 5.9Kev to 1Kev )典型的;
II. 快速峰化应用:
1. 能量分辨率:155eV (对应峰值为5.9keV 的情况);
2. 峰化时间(Peaking time) :0.8µs ;
3. 计数率:500,000 CPS;
III. 手持设备应用:
1. 能量分辨率:150eV (对应峰值为5.9keV 的情况);
2. 峰化时间(Peaking time) :3.2µs;
o
3. 探测器探头温度保持在250K (-24 C )
4. 计数率:200,000 CPS ;
XRF 设备由此开始 ... ...
55
图3. Amptek 硅漂移探测器(SDD)测得的 Fe 能谱
产品说明
XR-100SDD 型硅漂移探测器(SDD )是Amptek 公司出品的一款新型X 射线探测器,它
标志着X 射线探测器生产工艺的变革。XR-100SDD 因其体积小,性能优越且价格便宜等特
点,是OEM 手持式和台式X 射线荧光谱仪设备的理想选择;而且它在保证优异的能量分辨
的同时还能达到相当高的计数率,可以满足各种参数需求;另外封装采用和Amptek 出品的
其他探测器一样的T0-8 型外壳,方便用户升级现有系统以及和其他Amptek 产品配套。
硅漂移探测器工作原理和硅PIN(Si-PIN)光电二极管类似,但它利用单电极结构大大提升
了性能。Amptek 公司专门为X 射线能谱测量应用优化了其所有硅漂移探测器产品。
同样的探头面积下,硅漂移探测器电容比传统硅PIN 探测器电容低很多,则所需成型时
间变短,电子学噪声也会大大降低。因此硅漂移探测器可以相同(较高)的计数率下得到比
传统探测器好的能量分辨率。另外为引导电子移动到相当小的低电容阳极上,探测器中的电
极结构是特制的。
产品参数
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