搭载FRAM用于13.56MHzRFID的晶片-Fujitsu.PDFVIP

NEW PRNEWWWW PRODODUCTSDDDUDD CTSS 搭载FRAM用於13.56MHz RFID的晶片 MB89R118C MB89R118C內建大容量耐輻射性優異的FRAM， 可滿足RFID標籤的小型化要求。 前言 面。這種標籤的最大好處是可在滅菌處 照片1晶片 理前粘貼到物件上，因為在伽瑪射線 到目前為止，富士通半導體已經開 照射下，儲存在E2PROM的資料會丟失， 發出了高頻段 (13.56MHz) 和超高頻段 而儲存在FRAM中的資料則不會受到影 (860～960MHz)RFID晶片產品。這些產 響。 品最重要的特點就是內嵌鐵電隨機存取 此外，標籤的粘貼物件中小物品 記憶體（Ferroelectric Random Access 較多，這對標籤的小型化提出更高的要 Memory，FRAM）。由於擦拭速度快、耐擦 求。但標籤的物理尺寸受到天線的制 拭次數高，它們已經作為資料載體型被 約，如不能確保足夠的天線圈數，通訊 動RFID晶片而被全世界廣泛採用。 性能就會降低。因此，要求增大晶片的 近年來，在需要殺菌的物品上粘貼 輸入電容。 標籤，以及標籤的小型化需求開始呈現。 針對這一要求，富士通半導體提供 針對這些需求，富士通發揮 FRAM 在防 比以往產品的24pF輸入電容更大的96pF 輻射方面的特點，開發出“MB89R118C” 產品，從而減少天線圈數，實現了標籤 產品。 的小型化。 內建FRAM的RFID標籤 特點 RFID標籤→讀寫器： （調變方式）單一副載波OOK 耐輻射性優異 該產品是由無線射頻供電的被動 （編碼）Manchester 該產品是一款在高頻段(13.56MHz) 型RFID，由無線射頻（類比）、邏輯 ・防碰撞（Anti-collision）功能 使用的RFID晶片，內建2K位元組資料載 和記憶體3大部分組成，內建2K位元組 遵循ISO/IEC15693，支援ASK100％ 體型FRAM大容量記憶體，性能上沿襲已 的FRAM資料記憶體，還搭載基於ISO/ EOF高速通訊 上市銷售的“MB89R118/118B”，因此 IEC15693非接觸型RFID規格的通訊協定 UID：採用與MB89R118/118B相同的產 現有客戶可繼續在當前的環境下使用新 和命令群。 品編碼 產品。 該產品的主要特點如下。 ・命令 此外，該產品增加了天線輸入電容 ISO/IEC15693命令群 以應對標籤的小型化。到目前為止，以 ・內建大容量記憶體 高速讀寫命令（客制化） 存儲容量大、擦拭速度快的特點，內建 FRAM 2K位元組（使用者區：2000位 ・天線輸入容量 FRAM的高頻段RFID在需要頻繁寫入的工 元組） 兩種規格：24（±5％）pF，小型標 廠自動化（Factory Automation，FA） 記憶體架構：1 Block = 8位元組， 籤用96（±5％）pF（新產品） 相關領域得到廣泛應用。近年來，利用 由256個Block組成