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真空工艺指南 Dr. Peter M. Martin 过滤式阴极弧沉积简介 过滤式阴极弧沉积是具有广泛镀膜应用的多弧沉积工艺家族中的一员。该工 艺主要用于耐摩擦和耐磨损方面的应用，现在正转入光学和半导体领域。阴极弧 工艺自19 世纪80 年代就有了，该家族的其它工艺还有冷阴极和阳极弧沉积。图 司 1 是 1884 年爱迪生发明的第一个系统。这项真空工艺最初是用来沉积初级的加 硬膜。膜材置于两个电极（阴极和阳极）之间通过大电流低电压时就会产生弧蒸 公 发。电极（阴极或阳极）表面蒸发，喷射出的熔材形成等离子体，如图2 所示。 生成的粒子大小范围较广会导致生成的薄膜有很多微粒。电弧会生成较大的粒 子，离子和中性粒子。离子和带电的原子形成等离子。粒子沉积在表面上，较大 的粒子会使膜层的性能退化并影响到整个薄膜的质量。 限 有 膜 薄 空 真 泓 京 市 除了大粒子的问题，阴极弧工艺要面对的主要问题还有： 粒子数和沉积速率的多变 圳 不能做大面积沉积 薄膜厚度不均匀 深 薄膜质量不良 不容易控制多弧 生产工艺的可重复性和稳定性不佳 维护成本高 第 1 页 共 7 页 深圳市京泓真空薄膜有限公司 真空工艺指南 Dr. Peter M. Martin 开发出的过滤式阴极真空弧工艺FCVA 就是为了解决这些问题，消除使薄膜 性能退化的大粒子。图3 是代表FCVA 沉积系统的原理图，图4 是阴极弧源的原 理图。点火装置是用来生成电弧的，弧源，阴极和阳极基本上和阴极弧工艺中的 相同，但被喷射的粒子会被引入到调焦磁场的弯曲管道内，调节磁场用质量分离 粒子，这就是所谓的“过滤”。用机械式过滤器过滤掉不需要的大粒子和中性原 子。到达基片上的膜粒子就是纯的离子。粒子束必须是穿过基片上的光栅进行大 司 面积的镀膜。从基础物理学中我们还记得移动的带电粒子（这里是指离子）在磁 场中会偏转。在磁场中只有离子偏转。离子的受力， 公 F=q v X B 限 公式中，q 是离子的电荷，v 是其速度，B 是磁场强度，两者均是矢量。v X B 的 有 乘积是粒子的飞行方向是沿垂直力偏转，形成曲线的路径。离子偏转的半径和离 子质量和速度成正比。离子的能量和路径可以根据离子的质量来