真空镀膜材料之合成与制造.PDFVIP

真空鍍膜材料之合成與製造 邦杰材料科技有限公司 Ultimate Materials Technology Co., Ltd. 鍾尚浩博士 2013 年8月 23日 材料的種類 ‧韌性金屬:有可塑性,可變形 , 不易破裂, 如Al, Ti, Cu, Ag, Ta, .. ‧脆性金屬: 無可塑性, 不變形,易破裂 , 如Cr, Mn, Si, Bi, Se, Te … ‧介金屬: 大部份以整數原子比合成的金屬,皆為極脆的介金屬化合物 . 無可 塑性,易破 , 性質如同陶磁. 如TiAl, NiAl, FeSb, ZnSb, CdTe, ZnTe, …. ‧陶磁: 分為氧化物(Oxide),氮化物 (Nitride),氟化物 (Flouride),碳化物 (Carbide),硫化物 (Sulfide). 陶磁為易脆的材質,使用中有極大可能會破裂 ‧低溫金屬: In, Sn, Pb, Se及其合金,熔點低於300C,使用中有熔化的危險 ‧液態金屬: Ga及其與低溫金屬的合金(如ZnGa, InGa, ..), 無法做為靶材使用 ‧磁性金屬: Fe, Co, Ni,及其合金,另包含磁性氧化物 (如LaSrMnO3).使用厚 度不宜超過3mm,否則電漿無法點燃 1 PVD材料的要求– 純度 • 純度:僅計算金屬雜質 ,氣體元素 C/N/O/H及非金屬元素C/S不計 6N (99.9999 %) - 金屬雜質總量 1ppm 5N (99.999 %) - 金屬雜質總量 10ppm 4N5 (99.995 %) - 金屬雜質總量 50ppm 4N (99.99 %) - 金屬雜質總量 100ppm 3N5 (99.95 %) - 金屬雜質總量 500ppm 3N (99.9 %) - 金屬雜質總量 1000ppm • 對特定某些元素,會把化學性質非常接近的其他元素不視為雜質 ,例 如Zr中的 Hf, Ta中的 Nb, … • 對稀土元素(Rare Earth, La 系元素), 一般以該元素佔稀土元素的比 例表示 ,例如Yb/TREM 99.99 % 純度:通常要求99.0~99.99% (2N~4N), 對光電性質要求越高者電阻( , 折射 率,反射率, ..), 純度越高.只有晶片級 (IC Chip)應用才需要5N.要求機械 化學性質的膜層(耐磨, 裝飾, 抗刮, 防蝕, ..), 純度通常不是重點. PVD材料的要求– 清淨度 Sputter Cone 100 m Arc Track 清淨度:指材料中不要有非目標成份的夾雜物或介在物(Inclusion),最常 見的是金屬靶材中的氧化渣或耐火材料 , 主要來自熔煉時的操作不慎. 2 PVD材料的要求–健全度 健全度 :指材料中不要有孔洞及裂痕,這些結構缺陷會使電漿或電弧產生 跳火 (Arcing)或異常放電 .但熱蒸鍍材料通常對此不敏感 . PVD材料的要求– 成份 atomic% Ti Al 1 35.64 64.36 2 23.17 76.83 3 18.67 81.33