第4章门级建模和仿真.PDFVIP

第４章　门级建模和仿真 大气中子诱发核反应，在单个粒子事件中产生多个瞬态现象（ＳｉｎｇｌｅＥｖｅｎｔＭｕｌｔｉｐｌｅ Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ，ＳＥＭＴ）。本章综述了组合电路与时序电路中ＳＥＭＴ的分析方法。该分析方法 包含基于蒙特卡罗的核反应选择，器件中的载流子输运仿真以及ＳＰＩＣＥ仿真等。通过监 控门电路输出（瞬态脉冲的宽度、幅值和发生概率），从而确定核粒子的作用。 ４．１　介绍 重离子和质子导致很多应用失效，所以被认为是宇航电子元器件面临的最大挑战之 一。随着器件特征尺寸越来越小，中子与硅反应产生的瞬态效应已成为一个严重问题。 ［１，２］ ［３，４］ 该问题不仅影响航空／航天应用 ，也影响到了地表高度的商业应用 。这种瞬态效 应可以使得锁存器、触发器和ＳＲＡＭ单元存储内容翻转，也称为单粒子翻转（ＳｉｎｇｌｅＥ ｖｅｎｔＵｐｓｅｔ，ＳＥＵ）；也可以在组合逻辑中产生单个瞬态波形（ＳｉｎｇｌｅＥｖｅｎｔＴｒａｎｓｉｅｎｔ，ＳＥＴ） 或者多个瞬态波形（ＳｉｎｇｌｅＥｖｅｎｔＭｕｌｔｉｐｌｅＴｒａｎｓｉｅｎｔ，ＳＥＭＴ），并沿组合逻辑路径传输，最 终被锁存器、触发器等时序电路捕获。由于核反应的统计特性、电学调制作用以及逻辑 和结构屏蔽等，因此对于复杂集成电路的软错误率计算非常困难。在设计早期的软错误 率评估非常重要，这将有助于选择有效技术，从而保护电路中的薄弱环节。 如果要准确建模芯片和电子元器件的软错误率，就需要深入了解其内部的锁存器、 存储阵列和组合逻辑，以及其软错误敏感度。软错误率计算的基础是门电路中瞬态脉冲 的产生和传输，可以结合蒙特卡罗器件仿真和ＳＰＩＣＥ仿真，进行准确分析。 业已确认，中子是诱发多种类型电子元器件中单粒子效应的罪魁祸首。尽管中子不 能引起直接电离，但能与芯片材料发生核反应，从而产生次级粒子，如图４．１所示，引起 电荷淀积与收集，最终产生瞬态电流。 单粒子效应的另一个诱因是 粒子。芯片材料和封装中含有的放射性沾污会释放 α 出 粒子。 α 图４．１　瞬态脉冲的物理机制 ６０ 现代电子系统软错误 为了预测特定工艺下的存储阵列、时序电路和逻辑门电路的软错误敏感度，需要考 虑到如下不同步骤，如图４．２和图４．３所示。 图４．２　针对每个晶体管，计算瞬态电流库的步骤总图 图４．３　联立蒙特卡罗和ＳＰＩＣＥ仿真，用于计算逻辑门中的ＳＥＴ和ＳＥＭＴ １．核反应、引起的波动与相关概率 有一些计算质子／中子环境下的ＣＭＯＳ逻辑器件软错误率的方法，包括解析 第４章　门级建模和仿真 ６１ 方法、半解析方法以及基于蒙特卡罗的核反应选择。计算程序联立工艺描述与 核反应数据库（中子／质子与硅反应），然后根据扩散 收集模型，计算 ＭＯＳ晶体 管漏端的瞬态电流波形。核反应的位置和类型采用蒙特卡罗选择，构建针对特 定晶体管的电流脉冲库及其概率。 ２．选择能够扰动门电路输出的瞬态电流 下一步是根据一些标准统计相关的瞬态电流。晶体管级ＳＰＩＣＥ仿真从电流 脉冲库中选择，并注入到电路不同的敏感区域，从而获得电路输出真实的瞬态响 应，包括幅值、脉冲宽度和对应的概率。图４．２和图４．３详述了每个仿真步骤与 对应的结果。 ４．２　基于核反应的蒙特卡罗选择和器件仿真，从核交互到瞬态 电流计算 　　如４．１节所述，大气中子能谱范围非常宽，从 ＭｅＶ级到ＧｅＶ级，且注量各向同性。 任何方向上的中子都可能与电子元器件中的原子相互作用，从而引起不同的核反应，产 生不同方向、不同类型的离子。 考虑到上述现象的统计特性，需要针对每种类型的事件计算其概率。因此，必须采 用蒙特卡罗仿真计算软错误率，如图４．４所示。 一种方案是采用类似于ＧＥＡＮＴ４的核反应程序，追踪特定粒子与材料发生相互作用 的历史，然后计算该反应对于研究单元的影