课题：晶体二极管.DOCVIP

课题：晶体二极管 目的：掌握二极管的单向导电性及伏安特性 重点：二极管在电流中的状态分析 难点：电路中二极管正负极电位的计算 方法：图解法、练习法 过程：（导）通过前两轮的学习，我们知道二极管具有单向导电性，那么什么是二极管的单向导电性呢？二极管在电路中状态的判别又是怎样进行的呢，这一节课，我们就和同学们一起来复习晶体二极管。 一、晶体二极管的单向导电性 1、外形、引脚、结构、符号（阐述一下二极管与PN的正负极对应关系） 2、单向导电性 加正向电压（正偏）→导通→呈现电阻小（理想时为0）→可做短路处理。 加反向电压（反偏）→截止→呈现电阻大（理想时为∞）→可做断路处理。 总结：单向导电性：二级管加正向电压时导通，加反向电压时截止。 3、计算电路中电位的举例。 二、PN结 1、几个概念 导体：凡容易导电的物体（铜、铁、铝） 绝缘体：凡不容易导电的物体。（橡胶、木头） 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物体。（硅Si、 储 Ge 砷化镓） 载流子：运载电荷的粒子。 自由电子 带负电 空穴 带正电 　2、半导体的分类 ▲纯净半导体（本征半导体） 纯度：99.9999999% 电子数=空穴数 硅单晶体、锗单晶体 ▲N型半导体（本征+五价磷） 电子型半导体 电子数（多子）＞空穴数（少子） ▲P型半导体（本征+三价硼） 空穴型半导体　电子数（少子）＜空穴数（多子） 3、PN结的形成 在单晶基片上，采用工艺掺杂的方法，使其一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，这样P型区与N型区之间就会形成一个特殊的薄层，这个薄层称为PN结。(空间电荷区、阻挡层、耗尽层) 三．二极管的伏安特性 加在二极管两端的电压和流过二极管电流之间的关系。 1、正向特征。 材料 门坎电压（死区） 导通压降 Si 0.5v 0.7v Ge 0.2v 0.3v 2、反向特性 IR(IS)：反向饱和电流（漏电流） IR(si) (nA)＜IR(Ge)(m A)、T↑→IR↑ 3、反向击穿特性 电击穿→热击穿 四、二极管的简单测试（R×100、R×1K） 一次测得电阻大，调换表笔测得电阻小，且电阻小的一次，黑表笔所接极为二极管正极。 五、二极管的分类、型号和参数 1、分类 （1）以材料分：硅二极管，储二极管 （2）以PN结石积分 点接触型（小功率、高频） 面接触型（中功率、中频） 平面型 (大功率、低频) （3）以用途分：整流，稳压，开关等。 2、型号 见P410页，国产半导体器件型号命名 3、主要参数 （1）最大整流电流IFM：指二极管允许通过的最大正向工作电流的平均值 （2）最高反向工作电压VRM：是指二极管允许承受的反向工作电压的峰值 VRM=（1/3~1/2）V击穿 （3）反向漏电流IR：电流值越小，单向导电性能越好。 小结：1、晶体二极管的单向导电性 2、伏安特性 作业：P32 1~4 补充：分割法在二极管电路简单计算中的应用 1、普通型电路 2、与非门电路 3、限幅电路 课题：二极管整流电路 目的：掌握二极管整流电路的组成、计算 重点：几种二极管整流电路 难点：二极管态流电路的计称公式及应用 方法：图解法，比较法，归纳法 过程：（导）直接导入法 交流电：大小和方向随时间变化的电压或电流 直流电：方向不变的电压或电流 直流电：　脉动直流电：大小变化、方向不变 稳恒直流电：大小和方向都不变 脉动直流电　纯交流 稳恒直流电 整流：把交流电转换成直流点的过程。 单相半波 单相全波桥式　　　变压中心抽头式 　　　　　　　　　　桥式整流电路 一、单相半波整流电路 1、电路组成 2、工作原理（V2=V） 优点：电路简单 缺点：电源利用率低且输出脉动大 3、定量分析 VL=0.45V2 IL== VRM=V2 IV=IL 二、变压器中心抽头式全波整流电路 1、电路组成 2、工作原理 （ V2=V2a=V2b= ） 优点：输出电压高，纹波系数小，平滑性好。 缺点：变压器中心抽头、二极管承受的反向工作电压高。 3 定量分析 VL=0.9V2 IL= VRM=2 Iv= 三、桥式单向全波整流电路 1 电路组成 2 工作原理 缺点：二极管个数多 优点：变压器无须抽头， 3 定量分析 四 整流堆 1 半桥2CQ型 2 全桥QL型 用半桥堆、全桥堆构成全波桥式整流电路 小结：学生自己小结 作业：P33 5~12 课题：滤波器及稳压器 目的：掌握滤波器工作原理及硅稳压管原理 重点：滤波器及硅稳压器工作原理 难点：几种滤波整流电路的计算。 方法：讲授法，归纳法 过程：（导）设疑导入法 一、电容滤波 1、电路组成 2、工作原理 阐述：波形的平滑性