抽走,称为等离子体增强化学气相沉（PECVD）。.PDF

在真空压力下，加在电感线圈的射频电场，使反应室气体发生辉光放电，在辉光发电区域产生大量的电子。这些电子在电场的作用下获得充足的能量， 其本身温度很高，它与气体分子相碰撞，使气体分子活化。它们吸附在衬底上，并发生化学反应生成介质膜，副产物从衬底上解吸，随主气流由真空泵 抽走，称为等离子体增强化学气相沉(PECVD)。 PECVD 开启式管式炉系统系统由开启式管式炉、高真空分子泵系统、射频电源系统及多通道高精度数字质量流量控制系统组成，是实验室生长薄膜石墨 烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的理想选择。 主要功能和特点： 1、PECVD 具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等； 2、PECVD 工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应； 3、借助射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜； 4 、高真空系统由双级旋片真空泵和分子泵组成，最高真空可达0.001Pa ； 5、数字质量流量控制系统是由多路质量流量计，流量显示仪等组成，实现气体的流量的精密测量和控制； 6、每条气体管路均配备高压逆止阀，保证系统的安全性和连续均匀性； 7、采用KF 快速法兰密封，装卸方便快捷； 8、管路采用世界顶级Swagelok 卡套连接，不漏气； 9、超温、过压时，自动切断加热电源及流量计进气，使用安全可靠。 主要用途： 高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备，生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。 技术参数： 控温方式 采用人工智能调节技术，具有PID 调节、自整定功能，并可编制30 段升降温程序。 SKGL-1200 加热元件 0Cr27Al7Mo2 开启式管式炉 工作电源 AC220V 50Hz/60Hz 额定功率 4kw 炉管材质 高纯石英管 炉管尺寸 Φ60/Φ80*1200mm 工作温度 ≤1150℃ 最高温度 1200℃ 恒温精度 ±1℃ 恒温区 200mm 升温速度 ≤10℃/min 密封方式 不锈钢快速法兰挤压密封 真空范围 0.1-0.001Pa 极限真空 4.0*10^-4Pa 产品配置 双级旋片真空泵+分子泵 ZK-F 测量方式 复合真空计 分子泵真空系 真空规管 电阻规+ 电离规 统 冷却方式 风冷 工作电源 AC220V 50/60HZ 抽速 110L/S 射频功率输 5~500W 出范围 射频频率 13.56MHz ±0.005% 射频电源系统 噪声 ≤55DB 冷却方式 风冷 功率温定度 ± 0.1% 流量规格 0 －200sccm （可根据客户需要配置） HQZ-Ⅳ 线性 ±1.5%F.S 混气系统