康华光数电-第2章1.pptVIP

2.9 逻辑门电路使用中的几个实际问题 2、 CMOS驱动TTL ---增加驱动电流问题 采用专用器件作接口 … … 4049 4050 40107 2 10 2.9 逻辑门电路使用中的几个实际问题 二、TTL与CMOS门电路外接负载问题 三、抗干扰措施 自学 1、多余输入端的处理措施 2、去耦合电容 每个芯片加接0.1μF电容滤除开关噪声，同时将10--100μF的电容与直流电源并联，滤除不需要的频率成分 3、接地及安装工艺 * －－构成数字逻辑电路的基本元件 * 当t ＝ t1 时，vi 突变到 －VR ，理想时，二极管应立即截止，电路中只有很小的反向电流 。但实际并非如此，见图 * 产生反向恢复过程的原因是电荷存储效应所引起的（在此不细讲）。反向恢复时间就是存储电荷消失所需要的时间，一般在纳秒数量级。 * 产生反向恢复过程的原因是电荷存储效应所引起的（在此不细讲）。反向恢复时间就是存储电荷消失所需要的时间，一般在纳秒数量级。 * * * * （动画:用蓝字当TTL反相器?I由3.6V变0.2V的瞬间激活动画：图中的?I 处画 箭头闪动--- T1 的基极标上0.9V---- T2、T3 显绿色---T1 的集电极标上1.4V----由T1 的集电极向发射极沿T1 慢慢画出一条曲线表示T1 管产生导通电流) * （动画:用蓝字当TTL反相器?I由3.6V变0.2V的瞬间激活