DVCC实验系统实验指导.docVIP

一、DVCC实验系统的使用 ⒈ 独立使用 ⑴ 上电后，按DVCC实验系统上的“Reset”键，显示“P.”闪动。 ⑵ 将固化区EPROM中实验程序目标码传送到仿真RAM区，操作如下：输入“0”后按“F1”键，再输入“0FFF”后按“F2”键，再输入“0”后按“EPMOV”键，稍等，系统返回初始状态，显示“P.”。 ⒉ 连上位机工作 ⑴ 将随机配备的D型9芯插头一端插入DVCC系统J2插座，另一端插入上位机（即PC机）的串行口COM1或COM2。 ⑵ 启动“DVCC实验系统”软件，按DVCC实验系统上的“Reset”键，再按“PCDBG”键，单击“DVCC实验系统”软件工具栏上的“联接”按钮，建立DVCC实验系统和上位机的通信联系。 ⒊ 寄存器、SFR、片内RAM、片外RAM的读写 ⑴ 寄存器的读写 寄存器代号 代 号 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F 寄存器名 R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 DPL DPH ACC B PSW SP PCL PCH 在显示“P.”闪动的状态下，输入1位寄存器的代号，按“REG”键，数码显示器右边两位显示该寄存器的内容（读）。此时，可直接输入0～F，修改该寄存器的内容（写）；或按“NEXT”键（或“LAST”键），显示下一个（或上一个）代号的寄存器内容。 ⑵ 片内RAM和SFR的读写 在显示“P.”闪动的状态下，输入2位片内RAM单元（或SFR）的地址，按“REG”键，数码显示器右边两位显示该片内RAM单元（或SFR）的内容（读）。此时，可直接输入0～F，修改该片内RAM单元（或SFR）的内容（写）；或按“NEXT”键（或“LAST”键），显示下一个（或上一个）片内RAM单元（或SFR）的内容。 ⑶ 片外RAM的读写 在显示“P.”闪动的状态下，输入4位片外RAM单元的地址，按“MEM”键，数码显示器右边两位显示该片外RAM单元的内容（读）。此时，可直接输入0～F，修改该片外RAM单元的内容（写）；或按“NEXT”键（或“LAST”键），显示下一个（或上一个）片外RAM单元的内容。 特别提示：在对寄存器和SFR（R0～R7除外）进行读写操作后，不能按“Reset”键返回显示“P.”闪动状态，只能按“MON”键返回显示“P.”闪动状态；否则寄存器和SFR（R0～R7除外）将被置成MCS-51复位后的初态！ 二、实验的一般步骤 ⑴ 启动“DVCC实验系统”软件 ⑵ 编写源程序、汇编排错、形成正确的源文件.ASM，并生成中间文件.OBJ。 ⑶ 编译、连接，形成最终目标文件.ASM（或.HEX）。 ⑷ 装载最终目标文件到实验系统的仿真RAM区。 ⑸ 调试实验程序，若有错则重复⑵～⑷。 三、实验过程中实验结果的查看 ⑴ 仿真实验系统除在连续运行或和上位机联机状态下，一般不按“Reset”键，只按MON键返回监控。 ⑵ 实验中某些实验结果可采用下列办法之一进行查看： ① 以单步方式运行后，再进入存贮器、寄存器检查、修改等状态，以查看结果。 ② 在合适的地方设置断点或结束地址，全速运行程序，当程序运行到断点时会自动停下来，再进入存贮器、寄存器检查、修改等状态，以查看结果。 ③ 打开有关变量窗、寄存器窗口，以连续单步方式运行程序，在窗口中观察运行结果。 四、实验程序有关说明 该实验系统共编排了10个软件实验和18个硬件实验，全部的实验演示程序已固化在一片2764实验监控中，该芯片插在固化区，用户可以将其中内容转到仿真程序区，通过DVCC仿真实验系统的键盘显示器直接运行实验程序和观察实验结果。如果DVCC仿真实验系统在联PC机状态进行各种实验，其实验演示程序既可以运行实验监控中的程序，亦可以用/DVCC/H51Hex子目录下的实验程序（.Hex），把.Hex文件用Load命令传到DVCC仿真实验系统仿真程序区。然后通过调试命令运行实验程序，在窗口中观察实验结果。 每个实验程序的起始地址、目标文件名、源文件名、实验名称见表2-1和表2-2。 注：实验程序的源文件在\DVCC\51asm子目录下。 实验程序的目标文件在\DVCC\h51abs子目录下。 表1 软件实验 实验序号 实验名称 文件名 （目标.Hex源.ASM） 起始地址 实验一 清零程序 Clear. 0030H 实验二 拆字程序 Cword. 0050H 实验三 拼字程序 Pword. 0070H 实验四 数据块传送 Dmve. 0090H 实验五 数据排序 Dorde. 0100H 实验八 多分支程序设计 Mjup. 0250H 表2 硬件实验 实验序号 实验名称 文件名 起始地址 实验一 8031单片机P3、P1口应用 H51S 0540H 实验二 工业顺序控制 H