第2章 单片微机理论(李).pptVIP

* 存储矩阵每一位对应一个MOS管，ROM中存储信息反映在每个MOS管栅极连接方式上 W0~W3：译码器输出，一般称为字线 D0~D3:位线 当地址线数n增大时，译码器输出线数2n将变大，可采用X,Y两个方向译码结构 （1）ROM：掩膜编程的ROM简称为ROM，它的编程是由半导体制造厂家完成的，适合于大批量生产的产品。 * （2）PROM ：在出厂时并未存储任何信息，用户只能写入一次（编程 一次）。 （3）EPROM ：可改写的现场编程ROM，整片一起擦除，能够重复编程；（EP：Erasable Programmable） 用电信号编程，可用专门的编程器编程。 UVEPROM：用紫外线擦除的EPROM。 EEPROM：用电信号进行内容擦除的EPROM 。 Intel 2716 UVEPROM 是一种用紫外线擦除，用电信号编程的只读存储器。它在平时工作时用5v电源，而在编程时(写入)要用25v的电源电压。 2716的存储容量为2K×8位，即16K位。 这个系列的产品还有2732、2764、27128等，前两位是系列号，后几位就是表示其存储容量的(以K位为单位)。 * Intel 2716 UVEPROM 的引脚 2K×8位：地址线的数量：11，数据线的数量：8 片选信号，输出允许信号。 * 片选/编程控制输入 输出允许 信息可读可写；可随时直接写入数据；掉电后信息丢失。 RAM有双极型和MOS型两种，MOS存储器因其集成度高，功耗较低，价格便宜而得到广泛应用。 按其工作方式的不同可分为静态和动态两大类 。 * 静态RAM：用MOS触发器作为基本记亿元件。只有在有电源的条件下，存入的数据才可以保留和读出。掉电之后，存入的信息全部消失。 静态基本存储电路在没有新的写人信号到来时，触发器的状态不会改变，所存信息将长时间保存不变，条件是不能断电，功耗大。 动态RAM：动态基本存储电路是利用MOS管栅极和源极之间的极间电容来存储信息的，存有电荷为1，否则为0。电荷的逐渐泄漏会使原来存入的信息自动消失，为了长期保存信息，必须在信息消失之前使信息再生。这种操作称为动态存储器的刷新。刷新一般应在2ms左右进行一次。具有集成度高、成本低、功耗低 ，但外围控制电路比较复杂 。 * * 采用2n×1位存储器芯片组成2n×m位存储器时，需要m片2n×1位存储器芯片。 只需将m个芯片的地址线A0~An-1分别连在一起，此外，各个芯片的片选信号以及读写控制信号也都各自连到一起，只有数据线m片各自独立，每片代表一位。 * 例如：用8片2141(4K×1位)静态RAM芯片组成的4K×8位存储器芯片组 。 线选法 * 4片2k*8位芯片构成8k*8位 存储器芯片组 2k：2048=211 优点：硬件连接简单 缺点：地址不连续 0000H~07FFH 0000H~07FFH 全译码 * 高位地址线经过译码器以后作为各芯片的片选信号 优点：寻址范围充分利用 缺点：译码电路较复杂 部分译码：只将片内寻址外的高位地址线的一部分接到译码器的变量输入端 * 各芯片地址不唯一，有地址重叠 基本思路 地址线与地址线相连； 数据线与数据线相连； 控制信号线与控制信号线相连。 地址线与数据线的分时共用：地址锁存器 * CPU与ROM接口 * CPU与RAM接口 * 大规模集成电路(Large Scale Integrated circuits：LSI) 超大规模集成电路(Very Large Scale Integrated circuits：VLSI) * DR 数据总线 IR指令寄存器 AR地址寄存器 FR标志寄存器 PC程序计数器 * 另一数据来自寄存器组某一寄存器或存储器，要先暂存在DR中 * * 堆栈 变址寄存器，程序计数器等都属于专用寄存器 * W字线 D位线 MOS管栅极接字线 为0，MOS管栅极悬空 为1 * CE 片选 OE输出允许 Vpp 编程电源 PGM编程控制输入 * 2.1微型计算机概述 2.2单片微型计算机 2.3微型计算机的存储器 * 冯·诺依曼结构 * 输入设备 运算器 输出设备 控制器 存储器 一、微处理器、微型计算机和微型计算机系统 * 1、微处理器就是集成在一片大规模集成电路上的运算器和控制器。从功能上讲，微处理器就是CPU 。微处理器是微型计算机的核心部件，但它本身还不能当计算机用。 2、采用微处理器作CPU的计算机就是微型计算机。但它还必须配有一定容量的半导体存储器、输入／输出设备的接口电路，以及系统总线，才能组成一台计算机 。 3、微型计算机系统是指以微型计算机为中心，再配上所需的外设(如键盘、打印机、屏幕显示器、磁盘驱动器等)、电源以及足够的软件而构成的系统。 * 复杂指令集计算机CISC