电子元器件识别与检测晶体管技术总结.pptVIP

4、最高工作频率f M 主要取决于PN结结电容的大小。结电容愈大，则二检管允许的最高工作频率愈低。 半导体分立器件 二极管 普通二极管 符号 极性 用途：检波、整流 稳压、开关 半导体分立器件 三级管 结构： 符号： 作用: 放大，控制 开关。 半导体分立器件 三级管 判断三极管 的e、b、c 不同封装 9014 SOT23 9013 TO92 元器件的发展方向 阻容元件的发展方向 半导体分离器件的发展方向 IC元件的发展方向 本讲结束！ 一、晶体三极管的分类 晶体三极管的分类很多，按结构可分为点接触型和面接触型；按生产工艺分为合金型、扩散型和平面型等。但是常用的分类是从应用角度，依工作频率分为低频三极管、高频三极管和开关三极管；依工作功率分为小功率三极管、中功率三极管和大功率三极管；按其导电类型可分为PNP型和NPN型；按其构成材料可分为锗管和硅管。 这里介绍一下锗三极管和硅三极管之间的区别。不管是锗管还是硅管，都有PNP型和NPN型两种导电类型，都有高频管和低频管、大功率管和小功率管。但它们在电气特性上还是有一定差距的。首先，锗管比硅管具有较低的起始工作电压，锗三极管的基极和发射极之间有0.2V~0.3V的电压即可开始工作，而硅三极管的基极和发射极之间有0.6V~0.7V的工作电压才能工作。其次，锗管比硅管具有较低的饱和压降，晶体管导通时，发射极和集电极之间的电压锗管比硅管更低。第三，硅管比锗管具有较小的漏电流和更平直的输出特性。 二、晶体三极管的主要参数 1、共发射极直流放大倍数HFE 共发射极直流放大倍数HFE是指在没有交流信号输入时，共发射极电路输出的集电极直流电流与基极输入的直电流之比。这是衡量晶体三极管有无放大作用的主要参数，正常三极管的HFE应为几十至几百倍。常用的三极管的外壳上标有不同颜色点，以表明不同的放大倍数。 放大倍数：-15-25-40-55-80-120-180-270-400- 色标点：　棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 黑 例如：色点为黄色的三极管的放大倍数是40～55倍之间，色点是灰色的三极管的放大倍数为180～270倍之间等等。 2、共发射极交流放大倍数β 共发射极电路中，集电极电流和基极输入电流的变化量之比称为共发射极交流放大倍数β。当三极管工作在放大区小信号运用时，HFE=β，三极管的放大倍数β一般在10～200倍之间。β太小，表明三极管的放大能力越差，但β越大的管子的往往工作稳定性太差。 3、特征频率 三极管的放大倍数β会随着工作信号频率的升高而下降，频率越高，β下降越严重。特征频率就是β下降到1时的频率。也就是说，当工作信号的频率升高到特征频率时，晶体三极管就失去了交流电流的放大能力。特征频率的大小反映了晶体三极管频率特性的好坏。在高频率电路中，要选用特征频率较高的管子，特征频率一般比电路工作频率至少要高3倍以上。 4、集电极最大允许电流 晶体三极管的放大倍数β在集电极电流过大时也会下降。β下降到额定值的2/3倍或1/2时的集电极电流为集电极最大允许电流。三极管工作时的集电极电流最好不要超过集电极最大允许电流。 5、集电极最大允许耗散功率 晶体三极管工作时，集电极电流通过集电结要耗散功率，耗散功率越大，集电结的温升就越高，根据晶体管允许的最高温度，定出集电极最大允许耗散功率。小功率管的集电极最大允许耗散功率在几十至几百毫瓦之间，大功率管却在1瓦以上。 三、晶体三极管的识别 要认识三极管首先要了解晶体三极管的命名方法，各国对晶体管的命名方法的规定不同，我国晶体管的型号一般由五个部分组成，见表1.10。国外部分公司及产品代号见表1.11。 例：1) 锗材料PNP型低频大功率三极管： 2) 硅材料NPN型高频小功率三极管： 3 A D 50 C 3 D G 201 B 规格号 规格号 序号 序号 低频大功率 低频大功率 PNP型、锗材料 PNP、锗材料