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第 26 卷 　第 4 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 4 2005 年 4 月 　　 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S 　　Ap r . ,2005 垂直腔面发射激光器的热学特性 1 2 1 1 1 1 侯识华 　赵 　鼎 　孙永伟 　徐 　云 　谭满清 　陈良惠 ( 1 中国科学院半导体研究所 , 北京 　100083) (2 中国科学院电子学研究所 , 北京 　100080) 摘要 : 通过求泊松方程 、电流密度方程 、载流子扩散方程以及有源层结压降方程 自洽解的方法 ,计算了垂直腔面发 ( ) 射激光器 V CSEL 的电势分布 ,进而求解热传导方程 ,得到 V CSEL 的温度分布. 详细分析了注入电流密度小于或 等于阈值电流密度时 ,晶片键合结构垂直腔面发射激光器的键合界面阻抗 、氧化层限制孔径 、外加电压以及分布布 拉格反射镜的热导率的大小对 V CSEL 内部温度分布的影响. 关键词 : 垂直腔面发射激光器 ; 晶片键合 ; 高温中心 ; 热学特性 ; 有限差分法 PACC : 0260 ; 7280 E ; 8160C 　　　EEACC : 4320J 中图分类号 : TN2484 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 过选择氧化其中一层 AlA s 层的外围部分 ,得到高 阻氧化层限制孔 ,其半径为 r . 注入 电流即通过该 1 　引言 o 限制孔内未被氧化的区域注入到下部的有源区. n ( ) 垂直腔面发射激光器 V CSEL 在光纤通信 、光 DB R 由50 对 n 型掺杂的 In GaA sP/ In P DB R 组成. 互连 、并行光信息处理等领域中具有广阔的应用前 有源区由6 个 In GaA sP 量子阱和 In P 限制层构成 , 景. 关 于 V CSEL 的热分 析 已经 有 一 些 文 献 报 λ λ μ 其光学厚度为 3 0 / 2 , 0 = 155 m . nDB R 和有源区 道[ 1～5 ] . 但是 ,这些文献都是对注入电流密度大于阈 依次生长在 n + In P 衬底上. 通过 GaA s/ In P 的晶片 值电流密度的情况进行讨论的 ,而对注入电流密度 ( ) 键合 waf er bon din g 工艺 , 将有源区与 pDB R 熔 小于或等于阈值时的 V CSEL 内部的温度分布情况