发明名称低阻抗槽馈入天线专利号I524589公告日20160301申请号.PDF

發明名稱 低阻抗槽饋入天線: 專利號 :I524589 公告日 申請號 :100136937 申請日 申請人 :摩勒克斯公司 發明人 :JAWED, SHAIKH FAROOQ ；SVENDSEN, SIMON ；JAGIELSKI, OLE ； BAHRAMZY, PEVAND 摘要 : 闡釋具有一開槽及一元件組配來共振之低阻抗 槽饋入天線。該開槽之方向性係經組配使得開 槽電流係非與該元件聯結的返回電流反向。如此協助減少開槽與元件間的耦合而有利於高 Q 天線。 申請專利範圍 : 1. 一種天線系統，其係包含： 一接地平面； 一元件，該元件具有含 一第一端及 一第二端之 一體部，該元件包括在該體部之第一端上之一臂部，該臂部具有至該接地平面之 一第一短路；於該接地平面之 一開槽；及組配來產生環繞該開槽之一開槽電流的一饋線，其中該開槽電流係位在相鄰該元 件使得透過電容耦合而在該元件上產生一共振電流，及其中從該電容耦合點至該第一短路之 一返回電流係與該開槽電流同向。 2.如申請專利範圍第 1項之天線系統，其中該開槽為 L 字型結構且具有耦接至該饋線且位在 該接地平面上方之一第一端及形成至該接地平面之一第二短路之一第二端。 3.如申請專利範圍第 2項之天線系統，其中該第二短路係位在該饋線與該第一短路間。 4.如申請專利範圍第 1 項之天線系統，其中該開槽具有耦接至該饋線之一開放端及界定該開 槽之一閉合端。 5.如申請專利範圍第 4 項之天線系統，其中該閉合端係距該饋線一第一距離及該第一短路係 距該饋線一第二距離，該第二距離係大於該第一距離。 6.如申請專利範圍第 4項之天線系統，其中該閉合端係位在該第一短路與該饋線間。 發明名稱 :小型化平面多頻天線 專利號 :I524594 公告日 申請號 :101112039 申請日 申請人 國防大學: 發明人 :施家頤；杜博仁 ；黃柏仁 摘要 : 本發明主要提供一種可操作於 WWAN 之五頻規範頻帶及涵蓋到低頻 LTE 700 頻帶，甚至進 一步包含到高頻 LTE 2300 與 LTE 2500 之六頻規範頻帶到八頻規範頻帶之小型化平面天線。 所述小型化平面天線基本上包括一基材、一饋 入金屬微帶、一切斷式迴圈金屬微帶、一共振 金屬微帶、一馬刺形金屬微帶，以及延伸金屬帶結構；主要透過饋入金屬微帶與切斷式迴圈 金屬微帶之區隔將切斷式迴圈金屬微帶之原始直接饋入結構改為耦合式饋入結構，以激發低 頻共振模態，且設計一組雙耦合式饋入結構來激發四個共振模態。同時，藉由馬刺形金屬微 帶與延伸金屬帶結構達成四個共振模態的最佳 阻抗匹配，藉此來形成兩個寬的阻抗頻帶以涵 蓋4G應用之八個規範頻帶。 申請專利範圍 : 1. 一種小型化平面多頻天線係包括有： 一基材，為概呈長條狀之介質基材； 一饋入金屬微帶，設於該基材上，其依序形成有一概自基材前緣中段處朝基材內側方向延伸 預定長度之第一起始區段、及 一轉而朝基材右側方向延伸至基材邊緣之第一伸展區段，其中以該饋入金屬微帶之第一起始 區段前端為饋入點； 一切斷式迴圈金屬微帶，設於該基材上，其依序形成有一概與饋入金屬微帶第一伸展區段平 行之第二起始區段、 一轉而自基材右側邊緣延伸至基材後緣之第一接續區段、 一沿著基材後緣延伸至基材左側邊緣之主區段、及 一沿著基材左側邊緣延伸至基材前緣之第二伸展區段，其中以該切斷式迴圈金屬微帶之第二 伸展區段末端為接地點； 一共振金屬微帶，設於該基材上，其依序形成有 一概自該饋入金屬微帶之第一起始區段處朝饋入金屬微帶第一伸展區段相反走向延伸預定長 度之第三起始區段、 一轉而朝向基材內側延伸預定長度之第二接續區段、及 一轉朝向起始點的方向延伸預定長度並概與第三起始區段平行之第三伸展區段； 一馬刺形金屬微帶，設於該基材上，其依序形成有 一概自該共振金屬微帶第三伸展區段中段處朝基材前緣延伸預定長度之第四起始區段、及 一轉朝基材右側延伸預