原创力文档- 1、本文档共5页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
吉位规模DRAM 的发展和挑战
吉位规模DRAM 的发展和挑战
( , 100871)
: 本文从工艺技术单元结构单元阵列及电路设计方面讨 了吉位规模DRAM 的发展和面
临的挑战; 并展望了嵌入式DRAM 的发展
:存储单元 阵列结构 灵敏放大器 亚阈值电流 嵌入式DRAM
1
1971Intel 1kb DRAM
2
, 1995 NEC Hitachi 2
[3]
1 b DRAM,NEC 025m , 1 DRAM
2 2
054m ,936mm 11 DRAM
MOS 11 25
,DRAM 6
[1]
, kb b
DRAM 34 g i ,
2000 ( 248nm) ,
2006 16 b DRAM, 2009 100nm
64 b DRAM, 2015 DRAM 028 075
12
1Tb(Tera- bit, 10 ) ,
: ( EUV) ,
, 134nmEUV ,025 ,
[4]
11% , 30nm X
[2]
DRAM 15 nm ,
,, (Scalpel- Scattering with Angular Limitation Projection Electron-
, beam Lithography)
2002,Scalpel
1 DRAM
1995 1997 1999 2001 2003 2006 2009
DRAM ( / ) 64M 256M 1 4 16 64
文档评论（0）