第1章常用半导体器件.pptVIP

模拟电子技术基础;绪 论;《模拟电子技术基础》与其他课程的联系：;课程教学目标： ;教学内容与要求（64学时+实验30学时）学分：4+2 ;参考书目;第一章 常用半导体器件;;1.1.1 本征半导体;在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。;硅和锗的共价键结构;二、本征半导体的导电机理;2.本征半导体的导电机理;1.1.2 杂质半导体;一、N 型半导体;二、P 型半导体;三、杂质半导体的示意表示法;一. PN 结的形成;由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。;1、PN 结正向偏置 P 正N 负,导通;2、PN 结反向偏置 P负N 正，截止;三、PN 结的电流方程;四、PN 结的伏安特性;§1.2 半导体二极管;1.2.2 二极管的伏安特性;温度对二极管伏安特性的影响;1.2.3 二极管的主要参数 P9; 1. 理想模型;若;理想二极管：开启电压=0 V，导通压降=0 V。 二极管：开启电压=0 .5V，导通压降?0.7V(硅二极管);2、 二极管与门电路;3、 二极管或门电路;二. 二极管的微变等效电路;电路波形分析;1.2.5 稳压二极管;（2）稳定电流IZ、;稳压二极管的应用举例：P20;限流电阻R的取值范围为114 ~ 227 Ω;一、 发光二极管;二、 光电二极管;结构特点：;b;1.3.2 晶体管的电流放大作用;b;二、晶体管的电流分配关系;要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。;IB;1.3.3 晶体管的共射特性曲线;一、输入特性曲线;二、输出特性曲线;输出特性三个区域的特点:;例1： ?=50， VCC =12V， Rb =70k?，RC =6k?，UBE=0.7V 分析VBB = -2V，2V，5V时晶体管的工作状态。;例1： ?=50， VCC =12V， Rb =70k?，RC =6k?，UBE=0.7V 分析VBB = -2V，2V，5V时晶体管的工作状态。;1.3.4 晶体管的主要参数;2.集-基极反向饱和电流ICBO;3. 基极开路时,集-射极间的穿透电流ICEO;4.集电极最大电流ICM;6. 集电极最大允许功耗PCM;1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响;由PNP型三极管组成的基本放大电路：;1.3.6 光电三极管;光电三极管的输出特性曲线;§1.4 场效应管;1.4.1 结型场效应管;一、工作原理（以N沟道为例）;2、UGS(off)UGS0 时，UDS对漏极电流iD的影响;3、UGDUGS(off) 时，UGS对漏极电流iD的控制作用;二、场效应管的输出特性和转移特性曲线;P沟道结型场效应管;预夹断曲线; 结型场效应管的缺点：;1.4.2 绝缘栅型场效应管;1、MOS管的工作原理;UDS增加（未夹断） iD增加UGDUGS(th) ;2、 N沟道增强型MOS管的特性曲线;N 沟道耗尽型;场效应管的符号及特性;五、 场效应管的主要参数;1.4.4 场效应管与晶体管的比较