第2章半导体二极管(用3学时).pptVIP

2.1.3 掺杂半导体(N型半导体和P型半导体） 2.1.3 掺杂半导体 PN结的形成 2.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2.3 半导体二极管 2.3.1 基本结构 2.3 半导体二极管 2.3.2 伏安特性 2.3.3 主要参数 2.4.2 二极管电路分析 2.5 特殊二极管 2.5.1 稳压二极管 3. 主要参数 硅管0.5V, 锗管0.1V。 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 特点：非线性 硅0.6~0.8V, 锗0.2~0.3V。 U I 死区电压 阳 阴 + – 阳 阴 – + 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压 VBR 3. 反向电流 IR 二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值。 最大反向工作电压VRM——实际工作时，为安全：  VRM ≈ VBR /2 ， 在室温及规定的反向电压下的反向电流值。  硅管：(nA)级； 锗管： (?A)级。 第二章 半导体二极管及其基本电路 §2.1 半导体的基本知识 §2.2 PN结的形成及特性 §2.4 二极管的基本电路及其分析方法 §2.5 特殊二极管 §2.3 二极管 2.4 二极管的基本电路及其分析方法 2.4.1 半导体二极管等效模型： 1 理想模型： 理想二极管 (vD ＞0) 二极管导通 V F =0 r=0 开关闭合 (vD 0) 二极管截止 iD =0 r=∞ 开关断开 2 恒压降模型： (vD ＞ VF ) 二极管导通 vD = VF r=0 开关闭合 (vD VF) 二极管截止 iD =0 r=∞ 开关断开 定性分析：判断二极管的工作状态 导通截止 分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位。 若 V阳 V阴，二极管导通 若 V阳 V阴，二极管截止 若 V阳 V阴+VF，二极管导通 若 V阳 V阴+VF ，二极管截止 理想模型： 恒压模型： 电路如图，求：UAB V阳 =－6 V V阴 =－12 V V阳V阴 二极管导通 例1： 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 在这里，二极管起钳位作用。 D 6V 12V 3k? B A UAB + – （1）理想模型：UAB =－ 6V （2）恒压降模型：UAB = －6.3Ｖ或－6.7V ※ + - V1阳 =－6 V，V2阳=0 V， V1阴 = V2阴= －12 V UD1 = 6V，UD2 =12V ∵ UD2 UD1 ∴ D2 优先导通 例2: UD1=－6 V D1、D2为理想二极管，求：二极管电压和电流 在这里， D2 起钳位作用， D1起隔离作用。 B D1 6V 12V 3k? A D2 UAB + – UD2 = 0 V ID2 ID1 ※ V1阴 =0 V D1截止。 例 3：电路如图， (设D为理想二极管） 判断管子工作状态，并求输出电压。 v a =12Vv b =-15V v ab = v a - v b  = 27V0 D导通v AO =-15V v a1 = v a2 = 12Vv b1 =15V v b2 =0V v ab1 = -3V0v ab2 = 12V0 D2导通、 D1截止v AO =0V v a1 = v a2 = 12Vv b1 =0V v b2 =-4V v ab1 = 12V0v ab2 = 16V0 D2导通 v ab1 = -4V0 D1截止 a1 a2 b1 b2 ui 8V，二极管导通 已知： 二极管是理想的，试画出 uo 波形。 8V 例4： 二极管的用途： 整流、检波、 限幅、箝位、开 关、元件保护、 温度补偿等。 ui 18V 参考点 VD阴 =8 V; VD阳 = ui D 8V R uo ui + + – – uo = 8V uo = ui ui 8V，二极管截止 第二章 半导体二极管及其基本电路