溶液法制备CdZnTe晶体中Te夹杂相分析 - 上海大学学报.PDFVIP

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溶液法制备CdZnTe晶体中Te夹杂相分析 - 上海大学学报

第 19 卷 第 1 期 (自然科学版) Vol. 19 No. 1 2013年2月 JOURNAL OF SHANGHAI UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE) Feb. 2013 DOI: 10.3969/j.issn.1007-2861.2013.01.013 溶液法制备CdZnTe晶体 中Te夹杂相分析 王 东, 闵嘉华, 梁小燕, 孙孝翔, 刘伟伟, 张继军, 王林军 (上海大学 材料科学与工程学院, 上海 200072) 摘摘摘要要要: 利用红外(infrared, IR)显微镜 、腐蚀坑形貌及傅里叶红外(Fourier transform infrared, FTIR)光谱仪观察研究 溶液法制备CdZnTe晶体 中的Te夹杂相. 讨论CdZnTe晶锭 中Te夹杂相 的分布和原 因, 及其对 晶体 中位错密度 (etch pit density, EPD) 和红外透过率 的影响. 实验结果表 明: 沿生长轴方 向, Te 夹杂相密度增大, 相应 的位错密度也增大; 红外 透过率随 Te 夹杂相密度的增大而减小, 生长末端晶体的透过率低至 45%. 关关关键键键词词词 : 碲 镉; Te夹杂; 位错; 红外透过率 中中中图图图分分分类类类号号号 : TN 304 文文文献献献标标标志志志码码码 : A 文文文章章章编编编号号号 : 1007-2861(2013)01-0067-04 Analysis of Te Inclusions in CdZnTe Crystal Growth from Solution WANG Dong, MIN Jia-hua, LIANG Xiao-yan, SUN Xiao-xiang, LIU Wei-wei, ZHANG Ji-jun, WANG Lin-jun (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200072, China) Abstract: Te inclusions in CdZnTe crystals grown from solution has been investigated with transmission infrared (IR) microscopy, photography of etch pits and Fourier transform infrared (FTIR) transmission spectroscopy. Distri- bution and origination of Te inclusions in CdZnTe crystals are discussed, and the influence on the etch pit density (EPD) and IR transmittance are analyzed. The experimental results show that the density of Te inclusions increases along the growth direction, while the EPD increases. IR transmission decreases as the density of Te inclusions increases. The crystal in tail ingot has low transmittance of about 45%. Key words: CdZnTe; Te inclusion; dislocation; infrared

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