第二章半导体三极管及放大电路4.pptVIP

2.9 场效应管放大器 2.9.1 场效应管 一. 绝缘栅场效应管 2.N沟道耗尽型MOSFET 3、P沟道耗尽型MOSFET 4. MOS管的主要参数 2.9.2 场效应管放大电路 本节小结 * * 绝缘栅场效应管 结型场效应管 2.9.2 场效应管放大电路 效应管放大器的静态偏置 效应管放大器的交流小信号模型 效应管放大电路 2.9.1 场效应管 BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 FET分类： 绝缘栅场效应管 结型场效应管 增强型 耗尽型 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，简称MOSFET。分为： 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 1.N沟道增强型MOS管 （1）结构 4个电极：漏极D， 源极S，