磁控溅射工艺中靶材溅射功率对BCMg薄膜性能影响-大连理工大学学报.PDF

第 卷第 期 大 连 理 工 大 学 学 报 , 54 3 Vol.54 No.3 年 月 2014 5 Ma 2014 JournalofDalianUniversitofTechnolo y y gy 、 : ( ) 材料 机械工程 文章编号 1000-8608201403-0298-05 磁控溅射工艺中靶材溅射功率对BCMg薄膜性能影响 , , ,, , 12 *12 123 12 周 徐 洋 , 吴 爱 民 , 马 艳 萍 , 董 闯 ( , ; 1.大连理工大学 三束材料改性教育部重点实验室 辽宁 大连 116024 , ; 2.大连理工大学 材料科学与工程学院 辽宁 大连 116024 , ) 3.海南大学 特种玻璃省重点实验室 海南 海口 570228 摘要: , 、 , 采用多靶磁控共溅射技术 利用高纯 及 单质靶材为溅射源 下在单晶 BC Mg 573K ( )表面成功制备硬质非晶态 薄膜 背散射扫描电镜( )图显示薄膜成分均匀, Si001 BCMg . SEM 与基体 片结合良好 射线光电子能谱( )分析表明薄膜中存在 — 、— 、— 等 Si .X XPS B BB CC Mg 键态 射线衍射仪( )及高分辨透射电镜( )测试结果表明薄膜为非晶态结构 .X XRD HRTEM . , 某单质靶材溅射功率提高时 沉积速率及相应元素在薄膜中的含量随之上升 随着薄膜中 . B , — , 含量增加 薄膜中 共价键数量增多 薄膜硬度与断裂韧性均上升 含量为 B B BCMg