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第12章物理淀积：蒸发和溅射
第 12 章 物理淀积：蒸发和溅射
第第 1122 章章 物物理理淀淀积积：：蒸蒸发发和和溅溅射射
第 12 章 物理淀积：蒸发和溅射
第第 1122 章章 物物理理淀淀积积：：蒸蒸发发和和溅溅射射
在集成电路制造工艺中，常常需要在硅片的表面淀积各种
固体薄膜。薄膜厚度一般在纳米到微米的数量级，薄膜材料可
以是金属、半导体或绝缘体。
淀积薄膜的主要方法有
热氧化（常压热氧化、分压热氧化、高压热氧化等）
热氧化
物理淀积（真空蒸发、溅射镀膜、分子束外延等）
物理淀积
化学汽相淀积（CVD）（常压 CVD、低压 CVD、等离子
CCVVDD CCVVDD CCVVDD
CVD
化学汽相淀积（CCVVDD）
增强 CVD、汽相外延等）
CCVVDD
12.1
1122..11 升华和蒸发
12.1
1122..11 升华和蒸发
随着温度的升高，材料经历从固相、液相到气相的变化。
p
在任何温度下，材料周围都存在蒸汽，平衡蒸汽压为 pp 。温度
e
ee
越高，平衡蒸汽压就越高。材料温度低于熔化温度时，产生蒸
汽的过程称为升华；材料熔化后，产生蒸汽的过程称为蒸发。
升华 蒸发
被蒸发材料在真空室内加热，使其原子或分子通过蒸发大
量离开表面，淀积到硅片上形成薄膜。这种技术可以淀积熔点
不太高的金属或热稳定性良好的化合物，成膜纯度高。
10
为了得到合适的淀积速率，材料的平衡蒸汽压至少应为 1100
mTorr
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