第七章世界光电技术发展概况 - 光电科技工业协进会.PDF

第 七 章 世 界 光 電 技 術 發 展 概 況 7 - 1 第七章 世界光電技術發展概況 7 - 1 光 電 元 件 技 術 7 - 1 - 1 L D 技 術 發 展 n 光 通 訊 L D 1.資訊傳遞速度越來越快 （ON - OFF 頻率越來越高 ）：網路上 1998 年頻寬需求是 100M bit／ s ，1999 年增為 1G bit／ s ，目前 2000 年 是 2.5G bit ／ s ，但是到 2001 年底 ，預估就會有 10G bit／ s 的需求 ， 頻寬的需求是如此迫切 ，但是光通訊 LD 要如何配合這樣的需求 ？ 就技術上來說 ，1G bit／ s 與 10G bit／ s 的光通訊 LD 是完全不同的 技 術 與 難 度 ，關 鍵 在 於 外 部 調 變 (external moldula tion) 。以 F-P edge -emitting LD 而言，直接對 LD 本體施以調變電壓，使 LD 發出 之光產生明與暗，即 1 與 0 之訊號變化，要做到 2.5G bit ／ s 已是 非常困難。若再往 10G bit／ s 推進，其難度很高。因此針對 10G bit ／ s 的 LD ，目前有兩個解決方案：一是Oxidation VCSEL ，藉由材 料上的變化及採用垂直共振腔面射型結構，可以達到 10G bit／ s ， 目前只有 Honeywell 與 Picolight 有此產品，因物以稀為貴，此兩 家公司均挑選客戶才販賣。 二是外部調變 (external moldulation) ， 不直接對 LD 本體施以調變電壓，而是待雷射光射出後，藉由外部 結構對其施以調變，使用到模組與積體光學，體積較大，即所謂電 吸收模組雷射 (EML ，electro-absorption modulatoin laser) 。目前擁 有此種技術的廠商全球僅二 ~三家，美國 Lucent 為其一，是十分有 發 展 潛 力 的 產 品 。 2. 材 料 與 波 長 ： 在 材 料 方 面 ， 光 通 訊 LD 過 去 使 用 磷 砷 化 銦 鎵 (InGaAsP) ，雖然此種材料光電特性良好，但溫度易上升，需加裝 冷卻器降溫，成本較高。 而含鋁之 AlInGaAs ，溫度較穩定，不需 外加 冷卻器，因此具發展潛力，國內光電所與中華電信研究所曾合 作開發此一材料，也有國內廠商從事 1310nm AlInGaAs LD 生產。 而溫度特性更佳的 InGaNAs LD ，光電所也有投入前瞻研發。在波 PIDA Photonics Industry Technology Development Association 第 七 章 世 界 光 電 技 術 發 展 概 況 7 - 2 長方面，因為光纖通訊漸由長途長距離骨幹網路向短距離區域網路 發展，光通訊 LD 也由長波長 1550nm 高品質，朝向短波長 850nm 消費性產品發展，因此價廉且具量產優勢之 VCSEL 就成為另一潛 力產品。而 1310nm 及 850nm 是 10G bit／ s Ethernet 規格波長，未 來 成 長 可 期 。 n 光 儲 存 L D 波 長 往 短 波 長 發 展 ： 因 應 消 費 電 子 產 品 所 需 之 資 訊 量 不 斷 增 長，不論光碟機或光碟片皆有各種新技術研發，朝向更高儲存密度 發 展 ， 例 如 ： 縮 小 光 碟 機 讀 寫 頭 雷 射 光 波 長 或 增 加 透 鏡 數