绝缘层上覆矽结构矽锗异质接面电晶体的埋氧化层厚度对元件之影响.PDFVIP

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2017-06-24 发布于天津
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绝缘层上覆矽结构矽锗异质接面电晶体的埋氧化层厚度对元件之影响.PDF

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绝缘层上覆矽结构矽锗异质接面电晶体的埋氧化层厚度对元件之影响

Nanometer-Scale Technology and Materials Symposium 2013 Changhua, Taiwan, 13, December 2013 絕緣層上覆矽結構矽鍺異質接面電晶體的埋氧化層厚度對元件之影響廖淑慧林聖凱黃喬聯李麗英中州技術學院電子工程系 51003彰化縣員林鎮山腳路三段二巷六號摘要本論文利用 TCAD 半導體元件模擬器探討埋氧化層在絕緣層上覆矽異質接面雙極性電晶體中的影響因素。論文中詳細使用模擬器分析元件的物理與電學特性，例如Early 電壓、截止頻率，以及最大共振頻率。本研究並比較具有埋氧化層的元件和傳統塊材元件的最大共振頻率，發現具有埋氧化層的元件優於傳統塊材元件結構。我們也發現最大共振頻率有隨著埋氧化層厚度遞增的趨勢。關鍵詞：矽鍺，異質接面電晶體，Early 電壓，截止頻率，最大共振頻率 Study of Oxide Thickness Effect on the Performance of SiGe HBTs with SOI Structure SHU-HUI LIAO, SHENG-KAI LIN, QIAO-LIAN HUANG, AND LI-YING LEE Department of Electronic Engineering, Chung Chou University of Science and Technology, Changhua County 51003, Taiwan ABSTRACT Using a TCAD simulator, the oxide thickness effect on electrical characteristics of the SiGe HBT on SOI substrates were examined. This effect on Early voltage, cut-off frequency, and maximum oscillation frequency for SiGe HBT on SOI substrate were investigated. It is found that the maximum oscillation frequency (fmax) of SiGe HBT on SOI substrate is much better than that of conventional SiGe HBT. The maximum oscillation frequency increases with the increase in oxide thickness and tend to saturate at oxide thickness of 0.15 μm