闪存技术大比拼.PDFVIP

维普资讯 硬派讲章 Technology 青任薯鼍 ：茜 列 E~ ailrink@cniticorn N0R VS NAND 闪存技术大比拼 文 ／图 安徽财经 大学 陈忠 民 微型计算机2006年1月_= l29 维普资讯 碰 储原理，闲为它们具有相同的存储单元。无论是NOR electron injection) 法．通过辑根给浮骨栅极充电(图 型闪存还是NAND型闪存．存储单元部是存储数据的 3) 另一种是利用F N隧道效应(FowlerNordheim 一 个基本单位 tunnelhlg)，通垃硅基屡给浮鬣栅极觅电(嘲4)。由于结 构上的差异．NOR型闭存通过热电f注人方式给浮置 ●双栅极的场效应管 栅极充电+而NAND型c=】j存则通过FN隧道教应充电。 闪俘的俘睹单元为三端器件 ．三十端子与场效应 无论采用何种写^宵妓 ．在写人新的数据之前都 管具有相 同的名称 ：源极，漏概和栅掇 场效应管为 必须将原有的数据擦 除掉 ．也就是将 待写人区的存储 电压掩 制型器件 栅极与硅村底之间有 氧化硅绝缘 单元柏电荷仝部释放掉(选 一点跟磁带录制音频信号的 层 ，它利用 电场 的效应来控 制源板与漏极之间的通 情形捕似 ，但 往醋盘上写^数字信 号时无需先擦豫 断。栅极的电流消耗极小。闪存采用与场效应管相似 原有的信号)。两种闪存的数据擦睬原理完垒相同，都 的结构 ，正足借用了场效应管的这一特点。 是基于F N隧道效应。 闪存的存 姐果向浮置栅极 中注^ 了电荷 ，卿表示写^了数 储单元与普通 据 。0 ，如果没有往人电荷，_刖代表数据 “L 。所 以 的场效应 管的 可以通过浮置栅极中有、无电荷 ，米区别存储的数据 区别在于 ．场 是 0”还是 I。或者可以这幺说 ：在对某一存储单 效应管为单栅 元进行编程时把 “1”变成了 0“ ，擦除时则是把 0 极结椅 而闪 变成为 “l” 存 的存储单元 为积栅极结掏 ●浮置栅极中有无电荷 决定晶体管通断状态 — — 在栅极与 数据写人存睹单元后 ，晶体管的浮置栅极有两种 硅衬底之同叉增加了十浮置栅极f图2)。 状态：即无电荷和有电荷状志。在读取数据时，这两 浮置 搬投是 由氯化物夹在两层二氧化硅材料之 间 种状态会出现不同的结果(图5)。 构唬的ONO{氧化物 氮化物一氧化物)层 ，中间的氮 化物就是可 储存电荷 的电荷势阱。上下两层氧化物 的厚度★干50埃 ，以避免直接发生遂道击穿效应。采 用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力，就 像是装进瓶子里舳水，当你倒入水后，水位就一直保 持在 耶里．直到你再 次倒^或倒出 ●浮置栅极充 电