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面向偏压温度不稳定性分析的即时VTH测量
引言 经过一段时间，形成、提出了Denais理念的各种变化
形式，甚至将其应用于常规使用中以监测工艺引起的BTI
在微缩CMOS和精密模拟CMOS技术中对偏压温度不
偏移。这里的每一种方法都有优缺点。本应用笔记将探讨
稳定性——负偏压温度不稳定性（NBTI）和正偏压温
BTI应用实际实现有关的仪器要求，并且将检查用于劣化
度不稳定性（PBTI）——监测和控制的需求不断增加。
和恢复分析的几种方法。
1
当前NBTI 的JEDEC标准将“测量间歇期的NBTI恢复”
视为促进可靠性研究人员不断完善测试技术的关键。
简单来说，当撤销器件应力时，这种性能的劣化就开 VD在小偏压条件下，
用最小间隔实现I D
始“愈合”。这意味着慢间歇期测量得出的寿命预测 测量
结果将过于乐观。因此，劣化特性分析得越快，（劣
化）恢复对寿命预测的影响越小。此外，实验数据显
示被测的劣化时间斜率（n）很大程度取决于测量时
延和测量速度。2 因此，为了最小化测量延时并提高
测量速度开发了几种测量技术。
什么是BTI？
偏压温度不稳定性（BTI）指当MOS FET受温度应 图1.采用即时（OTF）技术极大缩短了无应力时间。OTF技术不是执行ID-VG全面扫描
（IDLin和IDsat）和提取VTH ，而是保持栅极应力并使漏极电压接近地电位。
力影响时阈值电压（VTH ）不稳定的现象。通常在125℃、
漏极和源极接地的条件下，升高栅极电压来测试FET。
随时间推延，VTH 将增大。对于逻辑器件和存储器件等 高速源和测量
应用而言，VTH 出现10%的偏移就会使电路失效。对于 实现OTF技术的关键要素是采用高速源测量单元或
匹配双晶体管等模拟应用而言，出现更小的偏移就会 SMU。高速SMU具有许多关键性能：
使电路失效。影响FET匹配的许多工艺偏差可以通过
• 连续测量速度快，连续测量的间隔小于100μs。
增大晶体管面积来缓和，剩下的限制因素是BTI。
• 微秒分辨率时间戳确保正确的定时分析。
即时（OTF）法 • 精密电压源满足漏极
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