一维二元非对角关联无序体系交流跳跃电导特性！.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 3( * ’$$) * ， ， ， W2; +3( C2 +* U/OG/8H/0 ’$$) （ ） #$$$7’*$Q’$$)Q3( $* Q3*7$( ,4E, RSTUV4, UVCV4, !’$$) 4=:- + R=?1 + U2@ + 一维二元非对角关联无序体系 交流跳跃电导特性! ! 马松山 徐 慧 李燕峰 张鹏华 （中南大学物理科学与技术学院，长沙 #$$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ’$$( ## # ’$$) * 在单电子紧束缚无序模型基础上，建立了一维二元非对角关联无序体系电子跳跃输运交流电导模型，并推导 了其交流电导公式，通过计算其交流电导率，探讨了格点能量无序度、格点原子组分、非对角关联及温度、外场对体 系交流跳跃电导的影响+ 计算结果表明，一维二元非对角关联无序体系的交流电导率随格点能量无序度的增大而 减小+ 同时，体系中两种原子的组分的变化实际代表着体系成分无序程度的变化，因而对其交流电导率的影响很 大，表现为随 类原子含量 的增加而先减小后增大 当引入非对角关联时，体系出现退局域化现象，电子波函数 , ! + 由局域态向扩展态发展，从而使体系的交流电导率大于 模型情况下体系的电导率 此外，温度对一维二元 ,-./012- + 非对角关联无序体系的电子输运的影响表现为体系的交流电导率随温度的升高而减小，而外加交变电场对体系交 流电导率的影响表现为随外场频率的升高而增大很快+ 关键词：二元无序体系，交流跳跃电导，格点能量无序度，非对角关联 ： ， ， !## )’#$ )’#34 )#335 成功解释了冷却到液氮温度下的补偿性晶态半导体 ［ ］ 的直流电导行为 随后， 和 #( 运用随 #A 引 言 + F:;;/0 ,H09=981 机电阻网络模型（ ）研究了低 0/1:1G9-@/ -/GI20J 9-9;2?