清华大学知名教授电工与电子技术课件.ppt

导电原理 导体导电原因 金属：有可自由移动的自由电子 电解液：有可自由移动的离子 绝缘体不导电的原因 没有可自由移动的带电粒子 半导体 ？ 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + C B E 2. 各电极电流关系及电流放大作用 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 静态(直流)电流放大系数: 动态(交流)电流放大系数: 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。 3) 当IB=0(基极开路)时, IB=ICEO,很小接近于０。 4) 要使晶体管起电流放大作用，发射极必须正向偏置，集电极必须反偏。 3. 电流方向和发射结与集电结的极性 B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 + - + - ? － － ? + - + - ? － ? － 发射结正偏 IB流入B 集电结反偏 IC流入C 发射结正偏 IB流出B 集电结反偏 IC流出C 9.4.3 特性曲线 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 1. 输入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 特点:非线性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V 2. 输出特性 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 0 放大区 输出特性曲线分三个工作区： (1) 放大区 在放大区有 IC=? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大区: 发射结:正向偏置; 集电结:反向偏置. 晶体管工作于放大状态。 B E C IB IE IC + - + - + - IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 0 （2）截止区 IB =0 以下区域，有 IC ? 0 。 在截止区:发射结:反向偏置 集电结:反向偏置. 晶体管工作于截止状态。 饱和区 截止区 （3）饱和区 当UCE? UBE时，晶体管工作于饱和状态：?IB ?IC。 发射结:正向偏置， 集电结:正向偏置。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 B E C IB=0 IE IC + - + - + - B E C IB IE IC + - + - + - B E C IB IE IC + U1 - RB EC = UCC RC 例：Ucc = 6V， Rc = 3 k Ohm， RB =10k Ohm， = 25。当输入电压U1分别为3V，1V和-1Ｖ时，试问晶体管处于何种工作状态？ 晶体管饱和时集电极电流近似为 晶体管临界饱和时基极电流为 解： （1）U1=3V 晶体管处于饱和状态 B E C IB IE IC + U1 - RB EC = UCC RC 例：Ucc = 6V， Rc = 3 k Ohm， RB =10k Ohm， = 25。当输入电压U1分别为3V，1V和-1Ｖ时，试问晶体管处于何种工作状态？ 晶体管饱和时集电极电流近似为 晶体管临界饱和时基极电流为 （2）U1=1V 晶体管处于放大状态 B E C IB IE IC + U1 - RB EC = UCC RC 例：Ucc = 6V， Rc = 3 k Ohm， RB =10k Ohm， = 25。当输入电压U1分别为3V，1V和-1Ｖ时，试问晶体管处于何种工作状态？ 晶体管饱和时集电极电流近似为 晶体管临界饱和时基极电流为 （3）U1= -1V 晶体管发射结反偏， 集电结反偏。 晶体管处于可靠截止状态。 9.4.4 主要参数 1.